[发明专利]一种外延层电阻率的测试方法、系统及终端设备

权利要求书

1.一种外延层电阻率的测试方法，其特征在于，包括：

获取待测外延片的外延层的掺杂浓度；

根据所述掺杂浓度，计算所述外延层的标准电阻率；

获取外延层中外层的偏压深度和所述外延层中内层的偏压深度，其中，所述偏压深度为所述外延片加电压后所测试的深度；

根据所述外层的偏压深度和所述标准电阻率，计算测量外层电阻率时所加的外层电压；

根据所述内层的偏压深度和所述标准电阻率，计算测量内层电阻率时所加的内层电压；

利用所述外层电压测试所述外层的实际电阻率，利用所述内层电压测试所述内层的实际电阻率；

其中，在所述根据所述掺杂浓度，计算所述外延层的标准电阻率之前还包括：

获取所述外延层的掺杂材料信息；

相应的，所述根据所述掺杂浓度，计算所述外延层的标准电阻率为：

根据所述掺杂浓度和所述掺杂材料信息，计算所述外延层的标准电阻率；

若所述外延层为掺硼硅片，则所述外延层的标准电阻率为：

其中，N为所述标准电阻率；ρ₁为硼的掺杂浓度；

若所述外延层为掺磷硅片，则所述外延层的标准电阻率为：

其中：ρ₂为磷的掺杂浓度；A₀、A₁、A₂、A₃、B₁、B₂和B₃分别为常数。

2.如权利要求1所述的外延层电阻率的测试方法，其特征在于，所述获取外延层中外层的偏压深度和所述外延层中内层的偏压深度，包括：

获取外延层中外层的厚度和内层的厚度；

根据所述外层的厚度，确定外层的偏压深度；

根据所述外层的厚度和所述内层的厚度，确定内层的偏压深度。

3.如权利要求2所述的外延层电阻率的测试方法，其特征在于，所述外层的偏压深度为：

X_外≤h_外×40％；

其中，X_外为外层的偏压深度；h_外为外层的厚度；

所述内层的偏压深度为：

h_外＜X_内＜(h_外+h_内)×40％；

其中，X_内为内层的偏压深度；h_内为内层的厚度。

4.如权利要求1所述的外延层电阻率的测试方法，其特征在于，所述外层电压为：

其中，V_外为所述外层电压；X_外为所述外层的偏压深度；N为所述标准电阻率；q为元电荷所带电量；ε_s为相对介电常量；ε₀为真空中的电介质常量；

所述内层电压为：

其中，V_内为所述内层电压；X_内为所述内层的偏压深度。

5.如权利要求1所述的外延层电阻率的测试方法，其特征在于，所述利用所述外层电压测试所述外层的实际电阻率，利用所述内层电压测试所述内层的实际电阻率，包括：

采用汞探针机台，利用所述外层电压测试所述外层的实际电阻率，利用所述内层电压测试所述内层的实际电阻率。