[发明专利]一种外延层电阻率的测试方法、系统及终端设备

说明书

本发明提供了一种外延层电阻率的测试方法、系统及终端设备，方法包括：获取待测外延片的外延层的掺杂浓度；根据所述掺杂浓度，计算所述外延层的标准电阻率；获取外延层中外层的偏压深度和所述外延层中内层的偏压深度；根据外层的偏压深度和标准电阻率，计算测量外层电阻率时所加的外层电压；根据内层的偏压深度和标准电阻率，计算测量内层电阻率时所加的内层电压；利用外层电压测试外层的实际电阻率，利用内层电压测试内层的实际电阻率。本发明能分别准确测量外延层中内层的电阻率和外层的电阻率，保证了芯片的质量。

技术领域

本发明属于外延片检测技术领域，尤其涉及一种外延层电阻率的测试方法、系统及终端设备。

背景技术

外延工艺广泛应用于双极集成电路、高压器件和CMOS集成电路。批量生产中的核心问题是产品参数控制的稳定性，为了监控参数的稳定性需要定期监控外延层的关键参数电阻率。对于双层外延参数而言，由于里层电阻率也会因为生长过程中外延炉的工艺波动导致电阻率变化从而引起里层电阻率偏离，所以既要监控外层电阻率又要监控里层电阻率。

常规测试工艺无法测试到里层电阻率，目前为了降低生产成本后续只监控和调整外层电阻率，由于里层电阻率无法监测，里层电阻率的变化轻则引起产品电压偏离，重则引起电压超限产品报废，产品质量差。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种外延层电阻率的测试方法、系统及终端设备，以解决目前由于对外延层电阻率监测不准确，造成芯片质量差的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种外延层电阻率的测试方法，包括：

获取待测外延片的外延层的掺杂浓度；

根据所述掺杂浓度，计算所述外延层的标准电阻率；

获取外延层中外层的偏压深度和所述外延层中内层的偏压深度，其中，所述偏压深度为所述外延片加电压后所测试的深度；

根据所述外层的偏压深度和所述标准电阻率，计算测量外层电阻率时所加的外层电压；

根据所述内层的偏压深度和所述标准电阻率，计算测量内层电阻率时所加的内层电压；

利用所述外层电压测试所述外层的实际电阻率，利用所述内层电压测试所述内层的实际电阻率。

本发明实施例的第二方面提供了一种系统，包括：

第一获取模块，用于获取待测外延片的外延层的掺杂浓度；

标准电阻率计算模块，用于根据所述掺杂浓度，计算所述外延层的标准电阻率；

第二获取模块，用于获取外延层中外层的偏压深度和所述外延层中内层的偏压深度，其中，所述偏压深度为所述外延片加电压后所测试的深度；

外层电压计算模块，用于根据所述外层的偏压深度和所述标准电阻率，计算测量所述外层电阻率时所加的外层电压；

内层电压计算模块，用于根据所述内层的偏压深度和所述标准电阻率，计算测量所述内层电阻率时所加的内层电压；

实际电阻率计算模块，用于利用所述外层电压测试所述外层的实际电阻率，利用所述内层电压测试所述内层的实际电阻率。

本发明实施例的第三方面提供了一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述外延层电阻率的测试方法的步骤。

本发明实施例的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述外延层电阻率的测试方法的步骤。