[发明专利]封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

半导体管芯；

重布线路结构，位于所述半导体管芯上且通过混合接合界面而电连接到所述半导体管芯；以及

连接垫，嵌入在所述重布线路结构中且电连接到所述重布线路结构，所述连接垫包括障壁膜及位于所述障壁膜之下的导电图案，其中所述障壁膜的表面与所述重布线路结构的外表面实质上齐平，且所述障壁膜的侧壁被所述重布线路结构覆盖。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，其中所述连接垫包括第一区、第二区及第三区，所述第二区位于所述第一区与所述第三区之间，且所述第三区被所述第二区及所述第一区环绕，

其中所述封装结构还包括：

钝化层，位于所述重布线路结构上且至少局部地覆盖所述连接垫；

介电层，位于所述钝化层上且局部地覆盖所述连接垫；以及

导电端子，位于所述连接垫上且电连接到所述连接垫。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，其中所述障壁膜在所述连接垫的所述第一区、所述第二区及所述第三区内物理地接触所述导电图案，

其中所述钝化层物理地接触位于所述连接垫的所述第一区内的所述障壁膜的部分，所述介电层物理地接触位于所述连接垫的所述第二区内的所述障壁膜的部分，且所述导电端子物理地接触位于所述连接垫的所述第三区内的所述障壁膜的部分。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，其中所述障壁膜在所述连接垫的所述第一区及所述第二区内物理地接触所述导电图案，

其中所述钝化层物理地接触位于所述连接垫的所述第一区内的所述障壁膜的部分，所述介电层物理地接触位于所述连接垫的所述第二区内的所述障壁膜的部分，且所述导电端子物理地接触位于所述连接垫的所述第三区内的所述导电图案的部分。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，其中在所述连接垫的所述第三区内、所述障壁膜与所述导电图案的堆叠方向上，所述障壁膜不与所述导电图案交叠。

6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，其中所述障壁膜物理地接触位于所述连接垫的所述第一区内的所述导电图案，

其中所述钝化层物理地接触位于所述连接垫的所述第一区内的所述障壁膜的部分，所述介电层物理地接触位于所述连接垫的所述第二区内的所述导电图案的部分，且所述导电端子物理地接触位于所述连接垫的所述第三区内的所述导电图案的部分。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，其中在所述连接垫的所述第二区及所述第三区内、所述障壁膜与所述导电图案的堆叠方向上，所述障壁膜不与所述导电图案交叠。

8.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，其中所述障壁膜的至少部分夹置在所述钝化层与所述导电图案之间。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

绝缘材料，包封所述半导体管芯且位于所述重布线路结构上。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

绝缘材料，包封所述半导体管芯且位于所述重布线路结构上；

电路衬底，接合至所述重布线路结构上且电连接到所述重布线路结构，所述重布线路结构夹置在所述电路衬底与所述半导体管芯之间。

11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

绝缘材料，包封所述半导体管芯且位于所述重布线路结构上；

电路衬底，结合在所述重布线路结构上且电连接到所述重布线路结构，所述重布线路结构夹置在所述电路衬底与所述半导体管芯之间；以及

中介体，具有贯穿所述中介体的多个穿孔，接合至所述重布线路结构及所述电路衬底上且电连接到所述重布线路结构及所述电路衬底。