[发明专利]高频放大电路及半导体装置

权利要求书

1.一种高频放大电路，具备：

第1放大电路，将第1晶体管与栅极接地的第3晶体管级联连接而成，该第1晶体管的源极经由第1源极电感器而接地且栅极被施加输入信号，该第3晶体管从漏极输出将从上述第1晶体管的漏极输出的信号放大后的信号；

第2放大电路，将第2晶体管及栅极接地的第4晶体管级联连接而成，并具有与上述第1放大电路相同的电路常数，该第2晶体管的源极经由第2源极电感器而接地且栅极被施加上述输入信号，该第4晶体管从漏极输出将从上述第2晶体管的漏极输出的信号放大后的信号；以及

噪声指数改善电路，将上述第1晶体管的源极及上述第2晶体管的源极经由电容器而连接，

上述高频放大电路具备：单一输出模式，从上述第1放大电路及上述第2放大电路中的一方输出上述放大后的信号；及分路输出模式，从上述第1放大电路及上述第2放大电路中的双方输出上述放大后的信号。

2.如权利要求1所述的高频放大电路，其中，还具备：

第1开关，被连接在上述第1源极电感器与上述第1晶体管之间，在从上述第1放大电路输出上述放大后的信号的情况下接通，在从上述第1放大电路不输出上述放大后的信号的情况下断开；

第2开关，被连接在上述第2源极电感器与上述第2晶体管之间，在从上述第2放大电路输出上述放大后的信号的情况下接通，在从上述第2放大电路不输出上述放大后的信号的情况下断开，

上述噪声指数改善电路，被连接在上述第1晶体管与上述第1开关之间、以及上述第2晶体管与上述第2开关之间。

3.如权利要求1所述的高频放大电路，其中，还具备：

第1开关，被连接在上述第1源极电感器与上述第1晶体管之间，在从上述第1放大电路输出上述放大后的信号的情况下接通，在从上述第1放大电路不输出上述放大后的信号的情况下断开；

第2开关，被连接在上述第2源极电感器与上述第2晶体管之间，在从上述第2放大电路输出上述放大后的信号的情况下接通，在从上述第2放大电路不输出上述放大后的信号的情况下断开，

上述噪声指数改善电路，被连接在上述第1开关与上述第1源极电感器之间、以及上述第2开关与上述第2源极电感器之间。

4.如权利要求1所述的高频放大电路，其中，

上述噪声指数改善电路的电容器，形成将在上述第2晶体管的源极感应出的杂音电压向上述第1晶体管的栅极传递的噪声传递路径，并且，电容值被设定为，经由上述噪声传递路径的噪声的相位相对于不经由上述噪声传递路径而向上述第1晶体管的栅极传递的噪声的相位偏移180°。

5.如权利要求1所述的高频放大电路，其中，

上述噪声指数改善电路，在上述分路输出模式的情况下被设为有效，在上述单一输出模式的情况下被设为无效。

6.如权利要求5所述的高频放大电路，其中，

上述噪声指数改善电路具备噪声指数改善元件、噪声指数改善电路第1切换开关、噪声指数改善电路第2切换开关，

上述噪声指数改善电路第1切换开关设置在上述第1放大电路与上述噪声指数改善元件之间，且具备如下晶体管，该晶体管在上述第1单一输出模式及上述第2单一输出模式中断开、且在上述分路输出模式中接通、且与上述第1晶体管的栅极氧化膜厚、栅极长度及阈值电压分别相等，

上述噪声指数改善电路第2切换开关设置在上述第2放大电路与上述噪声指数改善元件之间，且具备如下晶体管，该晶体管在上述第1单一输出模式及上述第2单一输出模式中断开、且在上述分路输出模式中接通、且与上述第2晶体管的栅极氧化膜厚、栅极长度及阈值电压分别相等，

上述噪声指数改善元件被设置为，与没有该噪声指数改善元件的情况相比较，上述分路输出模式中的噪声指数与上述第1单一输出模式或者上述第2单一输出模式中的噪声指数之差变小。

7.如权利要求1所述的高频放大电路，其中，

还具备隔离改善电路，

该隔离改善电路将上述第3晶体管的漏极及上述第4晶体管的漏极经由将电容器与电阻串联地连接而成的电路而连接。