[发明专利]高频放大电路及半导体装置

说明书

实施方式提供使输出端口间的隔离性能提高的高频放大电路。根据一个实施方式，高频放大电路具备第1放大电路、第2放大电路及噪声指数改善电路，具备：单一输出模式，从第1放大电路及第2放大电路中的一方输出放大后的信号；及分路输出模式，从第1放大电路及第2放大电路这双方输出放大后的信号。第1放大电路，将源极经由第1源极电感器而接地且在栅极被施加输入信号的第1晶体管、与从漏极输出将从上述第1晶体管的漏极输出的信号放大后的信号且栅极接地的第3晶体管级联连接而成。第2放大电路具备具有与第1放大电路同样的电路常数的电路元件。噪声指数改善电路将第1晶体管的源极及第2放大电路的第2晶体管的源极经由电容器而连接。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－20729号(申请日：2019年2月7日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部的内容。

技术领域

实施方式涉及高频放大电路及半导体装置。

背景技术

低噪声放大器(LNA)一般采用SiGe双极工艺，但近年，基于绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺的低噪声放大器多起来。这是由于，通过将高频开关FET装入LNA，能够实现高性能的电路。近年，为了使无线通信高速化，而导入了载波聚合(CA)。CA的模式中有带内CA，在此情况下，需要将LNA的输出分支为2个，为了实现与带内CA对应的LNA，作为输出模式，需要单一输出模式和分路(split)输出模式。但是，分路输出模式时的输出间隔离(Isolation)要求25dB左右，但实现该要求并不容易。

发明内容

实施方式提供使输出端口间的隔离性能提高的高频放大电路。

根据一个实施方式，高频放大电路具备第1放大电路、第2放大电路及噪声指数改善电路，具备：单一输出模式，从第1放大电路及第2放大电路中的一方输出放大后的信号；及分路输出模式，从第1放大电路及第2放大电路这双方输出放大后的信号。第1放大电路，将源极经由第1源极电感器而接地且在栅极被施加输入信号的第1晶体管、与从漏极输出将从上述第1晶体管的漏极输出的信号放大后的信号且栅极接地的第3晶体管级联连接。第2放大电路具备具有与第1放大电路同样的电路常数的电路元件。噪声指数改善电路将第1晶体管的源极及第2放大电路的第2晶体管的源极经由电容器而连接。

附图说明

图1是表示一个实施方式所涉及的S23改善电路的一例的电路图。

图2是表示一个实施方式所涉及的ΔNF改善电路的一例的电路图。

图3是表示一个实施方式所涉及的ΔNF改善电路的一例的电路图。

图4是表示一个实施方式所涉及的LNA的一例的框图。

图5是表示一个实施方式所涉及的LNA的一例的电路图。

图6是表示图5的电路中的控制信号的图。

图7是表示图5的电路的单一输出模式中的S参数的图。

图8是表示图5的电路的单一输出模式中的NF的图。

图9是表示图5的电路的分路输出模式中的S参数的图。

图10是表示图5的电路的分路输出模式中的NF的图。

图11是表示图5的电路中的特性的图。

图12是表示图5的电路中没有S23改善电路的情况下的特性的图。

图13是表示图5的电路中没有ΔNF改善电路的情况下的特性的图。

图14是表示一个实施方式所涉及的LNA的一例的电路图。

图15是表示图14的电路的单一输出模式中的S参数的图。