[发明专利]扇出型半导体封装件

权利要求书

1.一种扇出型半导体封装件，包括：

框架，包括：第一绝缘层；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层的第一表面上；第三绝缘层，设置在所述第一绝缘层的与所述第一表面相对的第二表面上；第一布线层，设置在所述第一绝缘层的所述第一表面上并嵌入所述第二绝缘层中；以及第二布线层，设置在所述第三绝缘层上，并且所述框架具有贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的通孔；

半导体芯片，设置在所述通孔中并具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；

包封剂，覆盖所述框架和所述半导体芯片中的每个的至少部分并填充所述通孔的至少部分；以及

连接结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括电；连接到所述连接焊盘的重新分布层，

其中，所述第一布线层和所述第二布线层电连接到所述连接焊盘。

2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第二绝缘层的与所述连接结构接触的表面与所述第一布线层的与所述连接结构接触的表面共面。

3.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第二绝缘层和所述第一布线层具有彼此相同的厚度。

4.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第二绝缘层的与所述连接结构接触的所述表面和所述第一布线层的与所述连接结构接触的所述表面与所述半导体芯片的使所述连接焊盘暴露的钝化层的下表面共面。

5.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第二布线层在所述第三绝缘层上突出。

6.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述框架还包括贯穿所述第一绝缘层和所述第三绝缘层并使所述第一布线层和所述第二布线层彼此电连接的导通孔。

7.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度和所述第三绝缘层的厚度。

8.根据权利要求7所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一绝缘层的弹性模量大于所述第二绝缘层的弹性模量和所述第三绝缘层的弹性模量。

9.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一布线层的导体层的数量大于所述第二布线层的导体层的数量。

10.根据权利要求9所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一布线层包括第一种子层和第一镀层，所述第二布线层包括第二种子层和第二镀层，所述第一种子层的层数大于所述第二种子层的层数。

11.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括设置在所述包封剂上的增强层，

其中，所述增强层的弹性模量大于所述包封剂的弹性模量。

12.根据权利要求11所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括设置在所述增强层上的树脂层，

其中，所述增强层的弹性模量大于所述树脂层的弹性模量。

13.根据权利要求12所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括贯穿所述树脂层、所述增强层和所述包封剂并使所述第二布线层的至少部分暴露的开口。

14.根据权利要求13所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括设置在暴露的第二布线层的表面上的表面处理层。