[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底上依次沉积有源层、栅极绝缘层、栅极层；

在所述栅极层上涂覆光刻胶，并湿法刻蚀所述栅极层；

干法刻蚀所述栅极绝缘层；

导体化所述有源层；

剥离所述光刻胶。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在干法刻蚀所述栅极绝缘层步骤中包括：

在反应室内充入蚀刻气体，对所述绝缘层进行蚀刻，形成所述栅极绝缘层；

其中，所述蚀刻气体为四氟化碳和氦气。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在反应室内充入蚀刻气体步骤中，同时充入所述四氟化碳和所述氦气，其中所述四氟化碳和氦气的流量比为2-6：1。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在导体化所述有源层步骤中包括：

在反应室内停止充入四氟化碳并增大氦气的流量，提升等离子轰击的力量，将所述有源层导体化；

其中，所述氦气流量增大的倍数为1-15倍。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在剥离所述光刻胶步骤中包括：

在反应室内充入氧气，对所述光刻胶层进行灰化处理，去除部分所述光刻胶层；

采用湿法剥离将剩余光刻胶层去除。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在提供一基底步骤中包括：

提供一衬底层；

在所述衬底层上形成遮光层；

在所述衬底层和所述遮光层上形成缓冲层。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在所述栅极层上涂覆光刻胶，并湿法刻蚀所述栅极层步骤中包括：

在所述栅极层远离所述栅极绝缘层的一表面上涂布光刻胶，将所述光刻胶通过曝光、显影后进行湿法蚀刻，并蚀刻至所述栅极层，将所述栅极图案化。

8.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板的制备方法所制备。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

一基底；

有源层，设于所述基底上；

栅极绝缘层，设于所述有源层上；

栅极层，设于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一表面上，并与所述有源层相互对应。

10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述基底包括：

衬底层；

遮光层，设于所述衬底层靠近所述有源层的一表面上，并与所述有源层相互对应；

缓冲层，覆于所述衬底层和所述遮光层上，并且所述有源层设于所述缓冲层远离所述遮光层的一表面上。