[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板的制备方法将有源层的导体化处理提前至剥离光刻胶前执行，并且本发明中的制备方法将现有技术中的氧气替换为氦气，提高了生产效率，减低了生产成本，且良品率高。

技术领域

本发明涉及显示器件领域，特别是一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

AMOLED(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)具有自发光、色彩鲜艳、对比度高、响应速度快、功耗低等优点，有望取代薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)成为下一代显示技术的主流。AMOLED对于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的要求较高，非晶硅(a-Si)TFT和低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)TFT这两种传统技术并不适合于大尺寸AMOLED显示：LTPS TFT虽然迁移率较高、电学稳定性较好，但是其电学特性的大面积均匀性较差。另一方面，a-Si TFT虽然具有较好的大面积均匀性，但是其迁移率过低，且存在严重的特性漂移。以上这些缺点限制了硅(Si)基TFT在大尺寸AMOLED像素电路中的应用。

IGZO TFT是近年来新出现的TFT技术，它兼具迁移率高、均匀性好、制备成本低廉等优点，有可能促进AMOLED实现量产，尤其是其大面积均一性较好，成为一种有竞争力的显示装置器件。

在目前Top-Gate IGZO的TFT器件制造过程中，传统流程方法需要两次进出干燥室来完成栅极层与有源层之间的绝缘层的蚀刻以及有源层的导体化制程。并且，在蚀刻绝缘层时使用的气体为四氟化碳和氧气，氧气参与的反应会有污染物产生，从而在电路上产生光学显微镜下显示为小黑点的缺陷。另一方面，氧气的存在也会导致光刻胶的变性，从而导致其在后续的制备工序后，电极线上存在光刻胶残留。因此，采用现有的制备工艺模式，对产能产生了消极影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法，以解决现有技术中制备过程繁琐以及蚀刻气体中的氧气会在电路上产生光学显微镜下显示为小黑点的缺陷，并且氧气还会促使光刻胶变性，从而导致其在后续的制备工序后，电极线上存在光刻胶残留等问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法中包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底上依次沉积有源层、栅极绝缘层、栅极层；

在所述栅极层上涂覆光刻胶，并湿法刻蚀所述栅极层；

干法刻蚀所述栅极绝缘层；

导体化所述有源层；以及

剥离所述光刻胶。

进一步地，在所述干法刻蚀所述栅极绝缘层步骤中包括：在反应室内充入蚀刻气体，对所述绝缘层进行蚀刻，形成所述栅极绝缘层。其中，所述蚀刻气体为四氟化碳和氦气。

进一步地，在反应室内充入蚀刻气体步骤中，同时充入所述四氟化碳和所述氦气，其中所述四氟化碳和所述氦气的流量比为2-6：1。

进一步地，在导体化所述有源层步骤中包括：在反应室内停止充入四氟化碳并增大氦气的流量，提升等离子轰击的力量，将所述有源层导体化。其中，所述氦气流量增大的倍数为1-15倍。

进一步地，在剥离所述光刻胶步骤中包括：在反应室内充入氧气，对所述光刻胶层进行灰化处理，去除部分所述光刻胶层。并采用湿法剥离将剩余光刻胶层去除。

进一步地，在提供一基底步骤中包括：提供一衬底层，在所述衬底层上形成遮光层，在所述衬底层和所述遮光层上形成缓冲层。