[发明专利]一种电源缓上电电路及设计方法在审

专利信息
申请号: 201910616810.2 申请日: 2019-07-09
公开(公告)号: CN110445484A 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 丁俊;丁振磊;刘成强;张军波;赵富川;岳惠峰 申请(专利权)人: 湖北三江航天红峰控制有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;H03K17/284
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人: 李佑宏
地址: 432000*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 电阻 缓上电电路 电容 电源 电源负极连接 电阻分压 第一端 延时 供电电源正极 电容并联 电源正极 导通 漏极 上电 源极 供电
【权利要求书】:

1.一种电源缓上电电路,其特征在于,包括:第一电阻、第二电阻、电容和MOS管;

所述第一电阻第一端与供电电源正极连接,所述第一电阻第二端与所述电容第一端连接,所述电容第二端与所述电源负极连接,所述第二电阻与所述电容并联,所述MOS管栅极与第一电阻第二端连接,所述MOS管源极与电源负极连接,所述MOS管漏极及电源正极接负载的两端。

2.如权利要求1所述的一种电源缓上电电路,其特征在于,所述第一电阻和第二电阻均为可变电阻,所述电容为可变电容。

3.如权利要求1或2所述的一种电源缓上电电路,其特征在于,还包括:稳压二极管和瞬态抑制二极管;

稳压二极管正极与MOS管源极连接,稳压二极管负极与MOS管栅极连接,瞬态抑制二极管正极与MOS管源极连接,瞬态抑制二极管负极与MOS管漏极连接。

4.如权利要求1至3任一所述的一种电源缓上电电路的设计方法,其特征在于,包括步骤:

根据供电电源电压Vu与MOS管栅源预设驱动电压Vmos确定第一电阻阻值R1、第二电阻阻值R2的比值;

根据负载的额定电流I和供电电源电压Vu确定MOS管;

根据所述电源缓上电电路预设延迟时间t和MOS管开启电压VGS确定电容。

5.如权利要求4所述的一种电源缓上电电路的设计方法,其特征在于,

所述根据供电电源电压Vu与预定的MOS管栅源驱动电压Vmos确定第一电阻阻值R1、第二电阻阻值R2的比值,使得R1、R2满足

6.如权利要求4所述的一种电源缓上电电路的设计方法,其特征在于,所述根据负载的额定电流I和供电电源电压Vu确定MOS管,使得MOS管的额定功率PD、导通电阻RDS满足:PD>I2×RDS,MOS管的漏源击穿电压BVDSS满足:BVDSS>Vu。

7.如权利要求4所述的一种电源缓上电电路的设计方法,其特征在于,所述根据预定延迟时间t和MOS管开启电压VGS确定电容,使得电容的容值C1满足:

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