[发明专利]硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法有效
| 申请号： | 201910618657.7 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110713588B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 林栽范;梁善暎;金瑆焕;金昇炫;朴裕信 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C08G61/10 | 分类号： | C08G61/10;G03F7/11;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模组 硬掩模层 以及 形成 图案 方法 | ||
本发明公开一种硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法，所述硬掩模组合物包括聚合物及溶剂，所述聚合物包括经取代的亚联苯基结构单元，其中所述经取代的亚联苯基结构单元包括具有羟基的C6到C30芳基以及具有羟基的C3到C30杂芳基中的至少一者。
[相关申请的交叉参考]
本申请主张在2018年7月11日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2018-0080730号的优先权及权利，所述韩国专利申请的全部内容并入本文供参考。
技术领域
本发明公开一种硬掩模组合物、包括所述硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层以及使用所述硬掩模组合物来形成图案的方法。
背景技术
近来，半导体行业已发展到具有数纳米到数十纳米大小图案的超精细技术。此种超精细技术本质上需要有效的微影技术。
典型微影技术包括：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光致抗蚀剂层；对所述光致抗蚀剂层进行曝光及显影以提供光致抗蚀剂图案；以及使用光致抗蚀剂图案作为掩模对材料层进行蚀刻。
如今，随着所要形成的图案的小型化，难以仅通过上述典型微影技术提供具有优异轮廓的精细图案。因此，可以在材料层与光致抗蚀剂层之间形成称为硬掩模层的辅助层以得到精细图案。
发明内容
一实施例提供一种能够改善耐蚀刻性及耐化学性的硬掩模组合物。
另一实施例提供一种包括所述硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层。
再一实施例提供一种使用所述硬掩模组合物来形成图案的方法。
根据实施例，一种硬掩模组合物包括聚合物以及溶剂，所述聚合物包括经取代的亚联苯基结构单元(biphenylene structural unit)，其中所述经取代的亚联苯基结构单元的亚联苯基中的每一亚苯基(phenylene)的至少一部分经具有至少一个羟基(hydroxygroup)的C6到C30芳基以及具有至少一个羟基的C3到C30杂芳基中的至少一者取代。
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