[发明专利]一种三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上的堆叠结构；

所述堆叠结构包括若干栅极层，所述若干栅极层沿垂直所述衬底的方向间隔堆叠设置；

所述堆叠结构中具有台阶区，所述台阶区中下层台阶沿平行所述衬底方向凸出于上层台阶；

所述台阶区内的至少一个台阶包括两层栅极层，所述两层栅极层中的一栅极层与第一子导电插塞连接，另一栅极层与第二子导电插塞连接；

与同一所述台阶的两层栅极层分别连接的第一子导电插塞、第二子导电插塞呈分立分布。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述两层栅极层中的一栅极层与第一子导电插塞连接，另一栅极层与第二子导电插塞连接，包括：

所述第一子导电插塞贯穿所述两层栅极层中相对远离所述衬底的第二子栅极层，与相对靠近所述衬底的第一子栅极层的上表面连接；所述第二子导电插塞与所述第二子栅极层的上表面连接；

所述第一子导电插塞以及所述第二子导电插塞沿垂直所述衬底的方向设置。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，还包括隔离层，所述隔离层至少位于所述第一子导电插塞与所述第二子栅极层之间。

4.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，还包括隔离层；在所述第一子导电插塞与所述第二子导电插塞中，所述第一子导电插塞的侧壁被所述隔离层包覆。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，在所述台阶区上还包括保护层，所述保护层覆盖所述堆叠结构；所述第一子导电插塞以及所述第二子导电插塞位于所述保护层内。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述台阶区内最靠近所述衬底的台阶包括且仅包括一层栅极层；除所述最靠近所述衬底的台阶以外的其他台阶包括两层栅极层。

7.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括若干栅极层，所述若干栅极层沿垂直所述衬底的方向间隔堆叠设置；所述堆叠结构中具有台阶区，所述台阶区中下层台阶沿平行所述衬底方向凸出于上层台阶，所述台阶区内的至少一个台阶包括两层栅极层；

在所述台阶区上形成导电插塞，所述两层栅极层中的一栅极层与所述导电插塞中的第一子导电插塞连接，另一栅极层与所述导电插塞中的第二子导电插塞连接；

与同一所述台阶的两层栅极层分别连接的第一子导电插塞、第二子导电插塞呈分立分布。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成导电插塞之前，所述方法还包括：

形成保护层，所述保护层覆盖所述堆叠结构；

刻蚀所述保护层以及所述两层栅极层中相对远离所述衬底的第二子栅极层，形成暴露所述两层栅极层中相对靠近所述衬底的第一子栅极层的上表面的第一子接触孔，在所述第一子接触孔内形成所述第一子导电插塞；以及，刻蚀所述保护层，形成暴露所述第二子栅极层的上表面的第二子接触孔，在所述第二子接触孔内形成所述第二子导电插塞；

所述第一子导电插塞以及所述第二子导电插塞沿垂直所述衬底的方向设置。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成第一子导电插塞以及所述形成第二子导电插塞，具体包括：

刻蚀所述保护层，形成第一子接触孔；

刻蚀所述第二子栅极层，以使所述第一子接触孔暴露出所述第一子栅极层的上表面；

形成隔离层，所述隔离层至少位于所述第一子接触孔内并覆盖所述第二子栅极层的暴露表面；

刻蚀所述保护层，形成第二子接触孔，所述第二子接触孔暴露所述第二子栅极层的上表面；

在所述第一子接触孔以及所述第二子接触孔内填充导电材料，以分别形成所述第一子导电插塞以及所述第二子导电插塞。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述台阶区内最靠近所述衬底的台阶包括且仅包括一层栅极层；除所述最靠近所述衬底的台阶以外的其他台阶包括两层栅极层。