[发明专利]一种太阳电池、生产方法及光伏组件

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：

晶体硅基底；

隧穿层；形成于所述晶体硅基底的背面；

掺杂多晶硅层，形成于所述隧穿层的背面；所述掺杂多晶硅层与所述晶体硅基底形成背面异质结；

钝化层，形成于所述掺杂多晶硅层的背面；所述钝化层上开设有激光开膜区；所述钝化层至少包括含铝钝化层，所述含铝钝化层为氮氧化铝层；

背面电极，所述背面电极通过所述激光开膜区与所述掺杂多晶硅层接触；

以及正面电极，所述正面电极形成于所述晶体硅基底的正面；

其中，所述钝化层还包括氧化硅层；所述氧化硅层位于所述氮氧化铝层与所述掺杂多晶硅层之间。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述氮氧化铝层中氮元素的质量含量小于等于10％。

3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述氮氧化铝层的厚度为3nm至20nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述钝化层还包括氮化硅层；所述氮化硅层位于所述氮氧化铝层远离所述掺杂多晶硅层的一侧表面。

5.根据权利要求1-3任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述晶体硅基底的正面形成有第一掺杂区以形成前表面场。

6.根据权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，所述晶体硅基底的正面对应所述正面电极的区域形成有第二掺杂区；所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，在所述激光开膜区内的所述背面电极由接触型电极浆料烧结而成。

8.一种太阳电池生产方法，其特征在于，所述方法包括：

在晶体硅基底的背面形成隧穿层；

在所述隧穿层的背面形成掺杂多晶硅层，以使所述掺杂多晶硅层与所述晶体硅基底形成背面异质结；

在所述掺杂多晶硅层的背面形成钝化层；所述钝化层至少包括含铝钝化层，所述含铝钝化层为氮氧化铝层；在所述钝化层的预设区域照射激光，形成穿透所述钝化层的至少一个激光开膜区，露出所述掺杂多晶硅层；

至少在所述激光开膜区中，形成背面电极；

在所述晶体硅基底的正面形成正面电极；

其中，所述钝化层还包括氧化硅层；所述氧化硅层位于所述氮氧化铝层与所述掺杂多晶硅层之间。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氮氧化铝层通过等离子加强原子层沉积和/或等离子体增强化学气相沉积形成。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述激光采用紫外皮秒激光器获得。

11.根据权利要求8或10所述的方法，其特征在于，所述激光的功率小于等于5w。

12.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括权利要求1-7任一项所述的太阳电池。