[发明专利]一种太阳电池、生产方法及光伏组件

说明书

本发明提供了一种太阳电池和生产方法及光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。所述太阳电池，包括：晶体硅基底；隧穿层；形成于所述晶体硅基底的背面；掺杂多晶硅层，形成于所述隧穿层的背面；所述掺杂多晶硅层与所述晶体硅基底形成背面异质结；钝化层，形成于所述掺杂多晶硅层的背面；所述钝化层上开设有激光开膜区；所述钝化层至少包括含铝钝化层，所述含铝钝化层为氮氧化铝层；背面电极，所述背面电极通过所述激光开膜区与所述掺杂多晶硅层接触；以及正面电极，所述正面电极形成于所述晶体硅基底的正面。本申请中在消融氮氧化铝钝化层形成激光开膜区的同时对掺杂多晶硅层的破坏程度大大降低，提升了背面钝化效果，升高了开路电压与填充因子。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种太阳电池、一种太阳电池生产方法及光伏组件。

背景技术

太阳电池，在硅基底的背面采用隧穿层，实现晶体硅基底与掺杂多晶硅层之间的钝化以及电接触效果，其具有生产工艺温度低、光电转换效率高等优势，因此应用前景广泛。

但是，目前太阳电池的性能有待进一步优化提升。

发明内容

本发明提供一种太阳电池、一种太阳电池生产方法、一种光伏组件、一种太阳电池生产设备、一种计算机可读存储介质，旨在解决太阳电池性能待提升的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种太阳电池，包括：晶体硅基底；

隧穿层；形成于所述晶体硅基底的背面；

掺杂多晶硅层，形成于所述隧穿层的背面；所述掺杂多晶硅层与所述晶体硅基底形成背面异质结；

钝化层，形成于所述掺杂多晶硅层的背面；所述钝化层上开设有激光开膜区；所述钝化层至少包括含铝钝化层，所述含铝钝化层为氮氧化铝层；

背面电极，所述背面电极通过所述激光开膜区与所述掺杂多晶硅层接触；

以及正面电极，所述正面电极形成于所述晶体硅基底的正面。

可选的，所述氮氧化铝层中氮元素的质量含量小于等于10％。

可选的，所述氮氧化铝层的厚度为3nm至20nm。

可选的，所述钝化层的厚度为3nm至6nm。

可选的，所述背面电极包括：所述钝化层还包括氮化硅层；所述氮化硅层位于所述氮氧化铝层远离所述掺杂多晶硅层的一侧表面。

可选的，所述钝化层还包括氧化硅层；所述氧化硅层位于所述氮氧化铝层与所述掺杂多晶硅层之间。

可选的，所述晶体硅基底的正面形成有第一掺杂区以形成前表面场。

可选的，所述晶体硅基底的正面对应所述正面电极的区域形成有第二掺杂区；所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度。

可选的，在所述激光开膜区内的所述背面电极由接触型电极浆料烧结而成。

根据本发明的第二方面，提供了一种太阳电池生产方法，所述方法包括：在晶体硅基底的背面形成隧穿层；

在所述隧穿层的背面形成掺杂多晶硅层，以使所述掺杂多晶硅层与所述晶体硅基底形成背面异质结；

在所述掺杂多晶硅层的背面形成钝化层；所述钝化层至少包括含铝钝化层，所述含铝钝化层为氮氧化铝层；在所述钝化层的预设区域照射激光，形成穿透所述钝化层的至少一个激光开膜区，露出所述掺杂多晶硅层；

在所述激光开膜区中，形成背面电极；

在所述晶体硅基底的正面形成正面电极。

可选的，所述氮氧化铝层通过等离子加强原子层沉积和/或，等离子体增强化学气相沉积形成。