[发明专利]像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置

权利要求书

1.一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；

待检测晶体管的阈值电压的漂移检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，所述待检测晶体管为所述侦测晶体管；

所述输入阶段包括：向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；

所述检测阶段包括：向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述第一关闭电压与所述第一电压的差值等于所述待测晶体管的阈值电压预估值，检测所述第二节点的实际电压；并根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态；

在整个检测过程中，向所述第一扫描端持续输入第二信号，所述开关晶体管保持截止状态；

所述检测阶段还包括：向所述侦测信号端输入第二电压；所述第二电压与所述第一电压不同。

2.根据权利要求1所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，

所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：判断所述待检测晶体管的阈值电压是否发生负漂移。

3.根据权利要求2所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，

所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的是否发生负漂移包括：

判断所述实际电压和所述第一电压是否一致，若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压和所述第一电压不一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压发生负漂移。

4.根据权利要求1所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，其特征在于，

所述第一关闭电压大于所述第一电压，所述第二电压大于所述第一电压；

所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：

若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述侦测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压大于所述第一电压，则确定所述侦测晶体管的阈值电压发生负漂移。

5.一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测装置，其特征在于，所述漂移检测装置采用如权利要求1～4中任一项所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法进行漂移检测；

所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；

所述检测装置包括：输入单元、检测单元、处理器；

所述输入单元配置为：在输入阶段，向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，向所述侦测信号端输入第一电压；

所述输入单元还配置为：在检测阶段，向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述第一关闭电压与所述第一电压的差值等于所述待测晶体管的阈值电压预估值；

所述检测单元配置为：在所述检测阶段，检测所述第二节点的实际电压；

所述处理器配置为：在所述检测阶段，根据所述实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态；

其中，所述待检测晶体管为所述侦测晶体管。

6.根据权利要求5所述的像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测装置，其特征在于，

所述处理器配置为根据实际电压和所述第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：

所述处理器通过比较所述实际电压和所述第一电压之间的大小，并在所述实际电压和所述第一电压一致时，则确定所述侦测晶体管的阈值电压未发生漂移；在所述实际电压大于所述第一电压时，则确定所述侦测晶体管的阈值电压发生负漂移。