[发明专利]像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置

说明书

本发明实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置，涉及显示技术领域；能够对像素电路中的晶体管的阈值电压漂移进行检测；待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；该检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，输入阶段包括：向第二扫描端输入第一开启电压，侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；检测阶段包括：向第二扫描端输入第一关闭电压，侦测晶体管截止，检测第二节点的实际电压；并根据实际电压和第一电压，判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，其中，AMOLED(Active-matrix OLED，中文全称：主动矩阵有机发光二极体)因驱动电压低，发光组件寿命长等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。

OLED显示器的每一亚像素中均设置有像素电路来驱动OLED发光以进行画面显示；其中，像素电路一般采用晶体管、电容等器件电连接而成，然而，由于工艺、材料以及设计等方面不同的各像素电路中的晶体管的阈值电压往往会发生漂移，从而造成显示器在显示过程中出现亮点、暗点等，并且在线缺陷(line defect)检测中很难检测出来；因此，对于设计一种关于像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法很有必要，以便对后续的制作工艺、显示驱动等提供相关的参考依据。

发明内容

本发明的实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置，能够对像素电路中的晶体管的阈值电压漂移进行检测。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法，所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容；其中，所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接，第一极与数据电压端连接，第二极与第一节点连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接，第一极与第一控制电压端连接，第二极与第二节点连接；所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接，第一极与所述第二节点连接，第二极与侦测信号端连接；所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接；待检测晶体管的阈值电压的漂移检测方法包括：输入阶段，检测阶段；其中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个；所述输入阶段包括：向所述第二扫描端输入第一开启电压，所述侦测晶体管导通，通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压；所述检测阶段包括：向所述第二扫描端输入第一关闭电压，所述侦测晶体管截止，检测所述第二节点的实际电压；并根据所述实际电压和所述第一电压，判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。

在一些实施例中，所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态包括：判断所述待检测晶体管的阈值电压是否发生负漂移。

在一些实施例中，所述判断所述待检测晶体管的阈值电压的是否发生负漂移包括：判断所述实际电压和所述第一电压是否一致，若所述实际电压和所述第一电压一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压未发生漂移；若所述实际电压和所述第一电压不一致，则确定所述待检测晶体管的阈值电压发生负漂移。

在一些实施例中，所述待检测晶体管为所述驱动晶体管；在整个检测过程中，向所述第一扫描端持续输入第一信号，所述开关晶体管保持导通状态；所述驱动晶体管的阈值电压的漂移检测方法，在所述输入阶段之前还包括：重置阶段；所述重置阶段包括，向所述数据电压端输入重置电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述重置电压输出至所述第一节点，以将所述存储电容中残留的电荷释放，并对所述第二节点进行重置；所述输入阶段还包括：向所述侦测电压端输入第一电压；向所述第一控制电压端输入第一控制电压；向所述数据电压端输入第一数据电压，并通过导通的所述开关晶体管，将所述第一数据电压输出至所述第一节点。