[发明专利]一种光罩

说明书

本发明提供了一种光罩，包括：有效区域与边缘区域，所述边缘区域位于所述有效区域部分侧边的边缘，在所述边缘区域与未设置所述边缘区域的有效区域内均设置有相间隔的当层对准精度图形，以用于量测相邻所述光罩的对准精度，使用该光罩，可以通过重复曝光，拼接成各种重复单元的超大尺寸图形，同时可以通过当层对准精度图形来量测每次曝光过程中相邻的光罩的位置对准精度，即提高了光罩在大尺寸工艺中的多样性，且可用于异形大尺寸芯片拼接精度测量，同时，由于边缘区域仅位于有效区域的部分侧边的边缘，减小了边缘区域在光罩中的使用面积，提高了光罩中的有效面积。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光罩。

背景技术

随着半导体技术的发展，芯片在各个领域发挥出更广泛的作用，在一些新产品和新领域中需要用到大尺寸的芯片，而这些大尺寸的芯片由于已经超过光刻机的像场，单次曝光最大尺寸为26*33毫米，因此在制造过程中，需要使用拼接技术。顾名思义就是在芯片的制造过程中，通过一张或者多张光罩的多次或者依次曝光，最终拼接成一个大尺寸的图形。

用于拼接工艺生产的大尺寸的光罩，需要包含当层精度对准图形和前层精度对准图形，而当层对准精度对于大尺寸图形的拼接显得尤为重要。对于当层对准精度图形在光罩中的设计，会极大影响该光罩在大尺寸拼接曝光应用中的多样性。

发明内容

基于以上所述的问题，本发明的目的在于提供一种光罩，可用于异形大尺寸芯片拼接精度的测量，且具有较高的有效面积。

为实现上述目的，本发明提供一种光罩，包括：有效区域与边缘区域，所述边缘区域位于所述有效区域部分侧边的边缘，在所述边缘区域与未设置所述边缘区域的有效区域内均设置有相间隔的当层对准精度图形，以用于量测相邻所述光罩的对准精度。

可选的，在所述光罩结构中，所述当层对准精度图形为组合式图形，由多个子对准精度图形组合而成。

可选的，在所述光罩结构中，所述当层对准精度图形包含两个子对准精度图形，两个所述子对准精度图形存在区别，且不同位置处的所述当层对准精度图形中的两个所述子对精度准图形的相对位置并不相同。

可选的，在所述光罩结构中，所述光罩呈正方形、长方形或菱形。

可选的，在所述光罩结构中，所述边缘区域位于所述有效区域的一相邻侧边的边缘。

可选的，在所述光罩结构中，所述光罩形成有四组当层对准精度图形，且四组所述当层对准精度图形位于所述光罩的四角。

可选的，在所述光罩结构中，两个所述子对准精度图形的形状或/和尺寸不同。

可选的，在所述光罩结构中，两个所述子对准精度图形均呈正方形，其尺寸不同。

可选的，在所述光罩结构中，相邻所述当层对准精度图形中的两个所述子对准精度图形的相对位置呈顺时针方向或逆时针方向移动90度。

可选的，在所述光罩结构中，所述当层对准精度图形所在区域的面积相同，将所述当层对准精度图形所在区域呈“田”字型均匀划分为四份，两个所述子对准精度图形仅占其中任意相邻的两份。

与现有技术相比，本发明提供的光罩中，包括有效区域与边缘区域，所述边缘区域位于所述有效区域部分侧边的边缘，在所述边缘区域以及未设置所述边缘区域的有效区域内均设置有相间隔的当层对准精度图形，以用于量测相邻所述光罩的对准精度，使用该光罩，可以通过重复曝光，拼接成各种重复单元的超大尺寸图形，同时可以通过当层对准精度图形来量测每次曝光过程中相邻的光罩的位置对准精度，即提高了光罩在大尺寸工艺中的多样性，且可用于异形大尺寸芯片拼接精度测量。同时，由于边缘区域仅位于有效区域的部分侧边的边缘，减小了边缘区域在光罩中的使用面积，提高了光罩中的有效面积。

附图说明

图1为本发明实施例一所提供的光罩的示意图。