[发明专利]在线检测抛光垫下方气泡的方法在审

申请号：	201910623677.3	申请日：	2019-07-11
公开（公告）号：	CN112207634A	公开（公告）日：	2021-01-12
发明（设计）人：	林士杰;谈文毅	申请（专利权）人：	联芯集成电路制造(厦门)有限公司
主分类号：	B24B1/00	分类号：	B24B1/00;B24B37/20;B24B37/34
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	361100 福建***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	在线检测抛光下方气泡方法
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【说明书】：

本发明公开一种在线检测抛光垫下方气泡的方法，包括：将一抛光垫粘贴在一化学机械抛光机台的一基座上；进行一抛光垫磨合制作工艺，利用一调节盘研磨所述抛光垫，其中所述调节盘耦合一垫高度感应装置；以及在所述抛光垫磨合制作工艺过程中，以所述垫高度感应装置监测所述调节盘的高度变化，其中当所述调节盘的高度变化超过一预定值，将所述抛光垫从所述基座上剥离，再另粘贴一抛光垫。

技术领域

本发明涉及半导体制作工艺技术领域，特别是涉及一种化学机械抛光(CMP)工艺。

背景技术

已知，在半导体制作工艺中，半导体晶片常需要进行抛光或研磨，以形成平坦化的晶片表面。上述抛光研磨步骤通常是通过化学机械抛光(CMP)工艺来完成，其主要是利用化学活性浆料(chemically active slurry)配合抛光垫(polishing pad)对晶片表面进行抛光。

在CMP工艺中，通过限制抛光垫和晶片之间的间隙，使浆料在晶片表面上产生机械作用。抛光垫能让浆料的研磨组分与晶片表面接触，并达到规则和恰当的机械研磨作用。此外，抛光垫的表面需要保持一定的粗糙度，以能在所需速度进行直接机械研磨动作，并且能在抛光垫表面上提供一定的空间以便输送浆料。

为了确保CMP工艺的性能和一致性，抛光垫通常每天更换。抛光垫放置在CMP机台的基座上，并通过抛光垫背面上的黏合剂固定到基座上。当抛光垫放置在基座上时，空气气泡容易被捕陷在黏合剂和基座之间。被捕陷的气泡可能在抛光垫的抛光面上造成凸起，这可能导致微刮痕和晶片报废。过去处理的方式是用人工检视抛光垫，若发现有凸起时，再利用工具手动将抛光垫撕起，以排除气泡造成的凸起。然而，整个过程非常耗时、没有效率而且不可靠。

发明内容

本发明公开一种在线检测抛光垫下方气泡的方法，可以解决现有技术的不足与缺点。

根据本发明实施例，所述在线检测抛光垫下方气泡的方法，包括：将一抛光垫粘贴在一化学机械抛光机台的一基座上；进行一抛光垫磨合制作工艺，利用一调节盘研磨所述抛光垫，其中所述调节盘耦合一垫高度感应装置；以及在所述抛光垫磨合制作工艺过程中，以所述垫高度感应装置监测所述调节盘的高度变化，其中当所述调节盘的高度变化超过一预定值，将所述抛光垫从所述基座上剥离，再另粘贴一抛光垫。

根据本发明实施例，其中，所述预定值约为0.1mm。

根据本发明实施例，其中，在所述抛光垫磨合制作工艺过程中，只有在所述抛光垫上喷洒水。

根据本发明实施例，其中，所述调节盘是钻石盘。

根据本发明实施例，其中，所述调节盘是连接至一调节臂。

根据本发明实施例，其中，所述垫高度感应装置包含一CMOS感应器。

根据本发明实施例，其中，所述垫高度感应装置的分辨率约为0.5μm。

附图说明

图1为本发明实施例所绘示的在线检测抛光垫下方气泡的方法的流程图；

图2为化学机械抛光(CMP)机台的剖面示意图。

主要元件符号说明

10～14 步骤

100 化学机械抛光机台