[发明专利]板式PECVD设备的质量流量计的标定方法

说明书

本发明涉及板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，板式PECVD设备包括质量流量计M1至Mn，其中，n为3以上的自然数，标定方法包括如下步骤：步骤S1，释放反应腔体中的气体，使板式PECVD设备的反应腔体中的压力稳定至P0；步骤S2，经由质量流量计M1向板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的气体，待反应腔体中的压力稳定后记录反应腔体中的压力为P1；步骤S3，重复步骤S1和步骤S2，分别记录经由质量流量计M2至Mn向板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的所述气体后反应腔体中的压力P2至Pn；步骤S4，根据所测得的P1至Pn确定需要更换的质量流量计并进行更换。本发明实施例的标定方法较为准确的判断出异常的质量流量计并进行更换，保证了镀膜效果，且操作简单方便。

技术领域

本发明涉及流量计技术领域，具体涉及一种板式PECVD设备的质量流量计的标定方法。

背景技术

在太阳能电池的生产中，在板式PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备中通过若干不同的通气管通入氨气和硅烷以在硅片上沉积SiNx薄膜，其中每根通气管通过氨气流量计和硅烷流量计来分别设定，通过设定不同的气体比例来沉积不同膜厚及折射率的SiNx薄膜。板式PECVD设备通常使用的氨气流量计和硅烷流量计均为质量流量计，其精度较低，经常出现实际流量与设定值出现偏差，从而不能准确控制沉积的SiNx薄膜的厚度，影响镀膜效果。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，该标定方法较为准确的判断出异常的质量流量计并进行更换，从而准确的控制了沉积的SiNx薄膜的厚度，保证了镀膜效果，且操作简单方便。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

根据本发明实施例的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，包括如下步骤：

步骤S1，释放反应腔体中的气体，使所述板式PECVD设备的所述反应腔体中的压力稳定至P0；

步骤S2，经由所述质量流量计M1向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的气体，待所述反应腔体中的压力稳定后记录所述反应腔体中的压力为P1；

步骤S3，重复所述步骤S1和所述步骤S2，分别记录经由所述质量流量计M2至Mn向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入所述预定流量的所述气体后所述反应腔体中的压力P2至Pn；

步骤S4，根据所测得的P1至Pn确定需要更换的质量流量计并进行更换。

优选地，所述步骤S4包括：

步骤S41，计算所测得的P1至Pn的算数平均值Pa；

步骤S42，将P1至Pn分别与所述Pa相比较，分别得到各个所述质量流量计所对应的压力偏差；

步骤S43，所述压力偏差满足预定条件时所对应的所述质量流量计，进行更换。

进一步优选地，所述步骤S43中，确定所述压力偏差的绝对值大于预定值所对应的所述质量流量计，进行更换。

进一步优选地，所述步骤S43中，确定所述压力偏差的绝对值最大所对应的所述质量流量计，进行更换。

优选地，所述步骤S1具体包括：

对所述板式PECVD设备的反应腔体进行抽压，使所述板式PECVD设备的反应腔体中的压力稳定为P0。

优选地，所述步骤S2中，经由所述质量流量计向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入的气体为氮气。

进一步优选地，所述质量流量计M1至Mn分别为硅烷质量流量计。

进一步优选地，所述质量流量计M1至Mn分别为氨气质量流量计。