[发明专利]一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构及其制作方法

说明书

本发明公开了一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构，包括托盘四周的托盘顶部和托盘口袋底部，所述托盘口袋底部四周倒角设置有斜边，所述斜边上设置有若干个定位点，所述斜边内侧相邻设置有四周支撑结构，所述四周支撑结构内侧与所述托盘口袋底部边缘相邻，所述托盘口袋底部开设有若干个导气孔。本发明既可限制硅片尽量位于托盘的中央部分，也防止托盘边缘遮挡导致在硅片边缘沉积薄膜不均匀，还可以有效防止硅片尤其是超薄硅片因受热或遇气流而越出托盘口袋底部；可防止硅片与托盘底面大面积接触造成硅片底面污染；可有效消除取放硅片时硅片与托盘之间产生的压力差，还可以保证硅片充分受热均匀。

技术领域

本发明属于太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构及其制作方法。

背景技术

能源是一个国家赖以生存和发展的动力。在化石能源日益枯竭和环境问题凸显的时代，新型可替代能源的研究将为国民经济持续发展提供有力的保障。太阳能可以稳定而持续的输出，在清洁能源中更具竞争力。

目前，各种构型的晶体硅(c-Si)组件占据绝大部分的市场份额。从发电量和节约成本两方面考虑，高效组件在光伏系统安装中占有绝对优势，获得高效率晶体硅太阳电池是获得高效组件的基础。晶体硅表面钝化技术是高效率晶体硅太阳电池中的关键，有效的表面钝化可以提高少数载流子的寿命，提高太阳电池的开路电压及光电性能。

硅异质结(SHJ)太阳电池采用氢化非晶硅(a-Si:H)基薄膜钝化晶体硅表面，器件的开路电压高达750mV，且利用该异质技术结合背接触结构制备的太阳电池现已达到26.3％的转换效率，具有非常高的降本潜力。其中，硅异质结太阳电池的关键技术——表面钝化层为非晶硅基薄膜，生长于晶体硅表面后可使载流子复合速率降低到小于10cm/s.常规用于沉积硅基薄膜的托盘，多次循环使用后表面容易被污染，与硅片接触的部分会在晶体硅表面造成污染，且硅片边缘处的薄膜由于趋肤效应而变薄，导致被污染部分和边缘部分有较多的载流子复合而限制器件性能的进一步提升。

因此，提供一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构及其制作方法，对于降低少数载流子复合和进一步获得规模化高效率硅异质结太阳电池实属必要。

发明内容

本发明目的在于提供一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构及其制作方法，包括口袋的四边、多点接触支撑结构和导气结构，通过使用本方案的托盘沉积硅异质结太阳电池的硅基薄膜钝化层，降低托盘晶体硅表面的污染；抑制晶体硅与硅基薄膜构成异质界面缺陷态产生的几率；提高表面钝化性能和硅异质结太阳电池的转换效率。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：

一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构，包括托盘四周的托盘顶部和托盘口袋底部，所述托盘口袋底部四周倒角设置有斜边，所述斜边外侧与所述托盘顶部内侧相邻，所述斜边上设置有若干个定位点，所述斜边内侧相邻设置有四周支撑结构，所述四周支撑结构内侧与所述托盘口袋底部边缘相邻，所述托盘口袋底部开设有若干个导气孔。

优选的，所述导气孔与所述托盘口袋底部所在平面成一定角度，该角度在10-90°之间。

优选的，所述斜边的斜面与所述托盘口袋底部所在平面之间的夹角在10～85°之间。

优选的，所述定位点设置于所述斜边的斜面上，所述定位点的结构为圆柱形、椭圆柱型、三角形或者方形。

优选的，所述定位点在所述斜边长度方向上的尺寸小于10mm，且，所述定位点与所述托盘口袋底部所在平面之间的夹角大于所述斜边的斜面与所述托盘口袋底部所在平面之间的夹角。

优选的，所述托盘口袋底部中部设置有中央支撑结构。

优选的，所述中央支撑结构的形状为点状、线状或面状，且所述中央支撑结构与所述托盘口袋底部的接触面积小于10mm2。