[发明专利]半导体的图案化离散纳米级掺杂、所述半导体的制造方法和包含所述半导体的制品

权利要求书

1.一种用于掺杂衬底的方法，所述方法包括：

将包含含掺杂物的共聚物和溶剂的组合物设置在衬底上；其中所述含掺杂物的共聚物包含第一掺杂物；并且

将所述衬底在750℃至1300℃的温度下退火0.1秒至24小时，以使掺杂物扩散到所述衬底中；

其中所述含掺杂物的共聚物包含不含掺杂物的聚合物和含掺杂物的聚合物；并且其中所述含掺杂物的聚合物是具有共价键合或离子键合的掺杂物原子的聚合物，并且以比所述不含掺杂物的聚合物更小的体积分数存在。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：用第二掺杂物掺杂所述衬底，所述第二掺杂物不同于所述第一掺杂物。

3.如权利要求1所述的方法，其中，掺杂物选自硼、磷、砷、铋、锑、铋、锂和镓。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括硅、镓和锗中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂物扩散到所述衬底中的深度小于或等于10纳米。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述共聚物是嵌段共聚物，并且包括丙烯酸酯嵌段和包含掺杂物的嵌段。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述包含掺杂物的嵌段为聚(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂戊硼烷-2-基)丙烯酸苄酯)。

8.一种组合物，所述组合物包含：

含掺杂物的共聚物；其中所述含掺杂物的共聚物包含不含掺杂物的聚合物和含掺杂物的聚合物；并且其中所述含掺杂物的聚合物是具有共价键合的掺杂物原子的聚合物，并且以比所述不含掺杂物的聚合物更小的体积分数存在；以及

溶剂。

9.如权利要求8所述的组合物，其中，所述含掺杂物的聚合物是聚(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂戊硼烷-2-基)丙烯酸苄酯)，并且其中，所述聚(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂戊硼烷-2-基)丙烯酸苄酯)用二硫酯封端。

10.一种方法，所述方法包括：

在溶剂中混合不含掺杂物的具有不饱和基团的反应性物质、具有不饱和基团的含掺杂物的单体、引发剂和可逆加成断裂链转移剂；并且

使所述不含掺杂物的具有不饱和基团的的反应性物质、所述具有不饱和基团的含掺杂物的单体、所述引发剂和所述可逆加成断裂链转移剂反应以形成共聚物。