[发明专利]晶圆级超声波感测装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910627340.X 申请日: 2019-07-12
公开(公告)号: CN112216784A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 金玉丰;马盛林;赵前程;邱奕翔;刘欢;李宏斌;龚丹 申请(专利权)人: 茂丞科技(深圳)有限公司;北京大学深圳研究生院
主分类号: H01L41/047 分类号: H01L41/047;H01L41/113;H01L41/23;H01L41/31;H01L41/333;G01H11/08;G06K9/00
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 刘莉
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 晶圆级 超声波 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆级超声波感测装置,其特征在于,包括:

一基板组件,包含一第一晶圆及一第二晶圆,其中所述第一晶圆上开设有一凹槽,所述第二晶圆与第一晶圆接合并覆盖所述凹槽,而界定出一中空腔体;

一超声波元件,位于所述第二晶圆上,且所述超声波元件与所述中空腔体的投影在一垂直方向上叠合;

一第一保护层,位于所述第二晶圆的一第一表面,且围绕所述超声波元件;

一第一导电线路及一第二导电线路,位于所述第一保护层上,并分别连接至所述超声波元件的一上表面,其中所述第一晶圆、所述第二晶圆、所述第一保护层及所述第一导电线路在一第一侧表面上共平面,所述第一晶圆、所述第二晶圆、所述第一保护层及所述第二导电线路在一第二侧表面上共平面;

一第二保护层,覆盖所述第一导电线路及所述第二导电线路,所述第二保护层具有一开口,所述超声波元件的所述上表面对应于所述开口;

一传导材料,位于所述开口内且接触所述超声波元件的所述上表面;

两个电性连接层,分别设置于所述第一侧表面及所述第二侧表面,并连接所述第一导电线路及所述第二导电线路;以及

两个焊接部,位于所述第一晶圆的一底面,并分别连接所述两个电性连接层。

2.如权利要求1所述的晶圆级超声波感测装置,其特征在于,所述超声波元件包括依序堆叠在所述第二晶圆上的一第一压电层、一第一电极、一第二压电层及一第二电极,其中所述第二压电层及所述第二电极未覆盖出所述第一电极的部分上表面,所述传导材料接触所述第二电极,且所述第一电极与所述第二电极分别与所述第一导电线路及所述第二导电线路连接。

3.如权利要求1所述的晶圆级超声波感测装置,其特征在于,所述超声波元件包括一第一超声波单元及一第二超声波单元,其中所述第一超声波单元包含一第一压电层及一第一电极,所述第一压电层位于所述第二晶圆上,且所述第一压电层及所述第一保护层具有连通的一第一接触孔,所述第一电极被包覆于所述第一压电层内,且所述第一电极的一部分曝露于所述第一接触孔,所述第一导电线路的一部分位于所述第一接触孔中,与所述第一电极连接;所述第二超声波单元在垂直所述第二晶圆的方向上未与所述第一超声波单元重叠,且所述第二超声波单元包含一第二压电层、一第二电路图案层及一第二电极,所述第二压电层位于所述第二晶圆上,所述第二压电层与所述第一压电层为同层且彼此分离,所述第二电路图案层被包覆于所述第二压电层内,所述第二电路图案层与所述第一电极为同层且彼此分离,所述第二电极位于所述第二压电层上,所述第一保护层具有一第二接触孔,所述第二接触孔与所述开口连通,所述第二导电线路的一部分位于所述第二接触孔中并与所述第二电极连接,所述传导材料的一部分填入所述第二接触孔中,与所述第二电极接触。

4.如权利要求1所述的晶圆级超声波感测装置,其特征在于,所述传导材料为聚二甲基硅氧烷。

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