[发明专利]晶圆级超声波感测装置及其制造方法在审
申请号: | 201910627340.X | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN112216784A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 金玉丰;马盛林;赵前程;邱奕翔;刘欢;李宏斌;龚丹 | 申请(专利权)人: | 茂丞科技(深圳)有限公司;北京大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01L41/047 | 分类号: | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/23;H01L41/31;H01L41/333;G01H11/08;G06K9/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 刘莉 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 超声波 装置 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种晶圆级超声波感测装置及其制造方法,所述晶圆级超声波感测装置包括基板组件、超声波元件、第一保护层、第一导电线路、第二导电线路、第二保护层、传导材料、电性连接层及焊接部。基板组件包含第一晶圆及第二晶圆,第二晶圆覆盖第一晶圆上的凹槽而界定出中空腔体。超声波元件与中空腔体的投影叠合。第一保护层围绕超声波元件。第一晶圆、第二晶圆、第一保护层在第一侧表面与第一导电线路共平面,在第二侧表面与第二导电线路共平面。第二保护层具有开口,传导材料在开口内且接触超声波元件。电性连接层设置于第一侧表面及第二侧表面,焊接部连接电性连接层。
技术领域
本申请涉及超声波传递领域,特别是指一种晶圆级超声波感测装置及其制造方法。
背景技术
随着3C产品的功能越来越方便,智能型手机、平板等智能型电子装置、或是笔记本电脑等已经成为了生活、工作必备的工具。由于现今工作数据、个人资料、甚至金融数据等都会储存于此类的电子产品中,数据的遗失可能造成用户的重大损失。因此,除了传统的账号、密码外,通常会采用用户的生理信息来认证、识别其用户,来达到充分防伪、避免数据流失的功能。
生理信息中,最常使用的方式是指纹辨识,指纹辨识是靠发送超信号至手指,再接收被指纹的波峰波谷反射回来的信号的强弱来辨识指纹。目前以超声波的方式可以得到较好的方式,即使在手指潮湿的条件下,都能有效的辨识。但目前采用的晶圆级的超声波感测元件的制程的良率仍不高,这会直接影响了制作成本及销售价格,若未来要成为3C产品的必要配置组件,则仍有很大的改善空间。
发明内容
在此,提供一种晶圆级超声波感测装置,晶圆级超声波感测装置包括基板组件、超声波元件、第一保护层、第一导电线路、第二导电线路、第二保护层、传导材料、两个电性连接层及两个焊接部。
基板组件包含第一晶圆及第二晶圆,第一晶圆上开设有凹槽,第二晶圆与第一晶圆接合并覆盖凹槽,而界定出中空腔体。超声波元件位于第二晶圆上,且超声波元件与中空腔体的投影在垂直方向上叠合。第一保护层位于第二晶圆的第一表面,且围绕超声波元件。第一导电线路及第二导电线路位于第一保护层上,并分别连接至超声波元件的上表面,其中第一晶圆、第二晶圆、第一保护层及第一导电线路在第一侧表面上共平面;第一晶圆、第二晶圆、第一保护层及第二导电线路在第二侧表面上共平面。
第二保护层覆盖第一导电线路及第二导电线路,第二保护层具有开口,且超声波元件的上表面对应于开口。传导材料位于开口内且接触超声波元件的上表面。两个电性连接层分别设置于第一侧表面及第二侧表面,并连接第一导电线路及第二导电线路。两个焊接部位于第一晶圆的一底面,并分别连接两个电性连接层。
在一些实施例中,超声波元件包括依序堆叠在第二晶圆上的第一压电层、第一电极、第二压电层及第二电极,其中第二压电层及第二电极未覆盖出第一电极的部分上表面,传导材料接触第二电极,且第一电极与第二电极分别与第一导电线路及第二导电线路连接。
在一些实施例中,超声波元件包括第一超声波单元及第二超声波单元。第一超声波单元包含第一压电层及第一电极,第一压电层位于第二晶圆上,且第一压电层及第一保护层具有连通的第一接触孔。第一电极被包覆于第一压电层内,且第一电极的一部分曝露于第一接触孔,第一导电线路的一部分位于第一接触孔中,与第一电极连接。第二超声波单元在垂直第二晶圆的方向上未与第一超声波单元重叠,且第二超声波单元包含第二压电层、第二电路图案层及第二电极。第二压电层位于第二晶圆上,第二压电层与第一压电层为同层且彼此分离。第二电路图案层被包覆于第二压电层内,第二电路图案层与第一电极为同层且彼此分离。第二电极位于第二压电层上,第一保护层具有第二接触孔,第二接触孔与开口连通,第二导电线路的一部分位于第二接触孔中并与第二电极连接,传导材料的一部分填入第二接触孔中,与第二电极接触。
在一些实施例中,传导材料为聚二甲基硅氧烷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂丞科技(深圳)有限公司;北京大学深圳研究生院,未经茂丞科技(深圳)有限公司;北京大学深圳研究生院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910627340.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。