[发明专利]自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法在审
| 申请号： | 201910627579.7 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110391177A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 童津泓 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自组装单层 阻障件 沉积 气相沉积 覆盖层 铜区域 助粘剂 扩散 介电层 | ||
1.一种形成半导体结构的方法，其包含：
在介电层中形成通孔；
在该通孔中形成第一阻障层；
在该通孔中形成铜区域；
在该铜区域及该第一阻障层上方沉积第二阻障层；以及
在该第二阻障层上方沉积覆盖层；
其中，沉积该第二阻障层包含在化学气相沉积工具室中沉积自组装单层；
其中，在该第二阻障层上方沉积该覆盖层是在该化学气相沉积工具室中直接予以进行，而不使用转移室在不同室之间搬运该半导体结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在该第二阻障层上方沉积该覆盖层包含沉积硅碳化物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积该自组装单层包含沉积氨基硅烷。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积该氨基硅烷包含沉积H2NCH2CH2CH2Si(OCH3)3。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积该氨基硅烷包含沉积H2NCH2CH2CH2Si(OC2H5)3。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积该氨基硅烷包含沉积(3-氨基丙基)二甲基乙氧基硅烷。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积该氨基硅烷包含沉积N-(2-氨乙基)-3-氨基丙基三甲氧硅烷。
8.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积该氨基硅烷包含沉积(3-二甲氧基甲硅烷基丙基)二乙撑三氨。
9.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积该氨基硅烷包含沉积4-氨基苯基三甲氧硅烷。
10.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积该氨基硅烷包含沉积苯基氨基-甲基三甲氧基硅烷。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积该自组装单层包含沉积巯基硅烷。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，沉积该巯基硅烷包含沉积3-巯基丙基三甲氧基硅烷。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，沉积该巯基硅烷包含沉积3-巯基丙基三乙氧硅烷。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，沉积该巯基硅烷包含沉积3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一阻障层是由与该第二阻障层具有相同材料的材料所组成。
16.一种形成半导体结构的方法，其包含：
在介电层中形成通孔；
在该通孔中形成第一阻障层；
在该通孔中形成铜区域；
在该铜区域及该第一阻障层上方沉积第二阻障层；以及
在该第二阻障层上方沉积覆盖层；
其中，沉积该第二阻障层包含在原子层沉积工具室中沉积自组装单层；
其中，在该第二阻障层上方沉积该覆盖层是在该原子层沉积工具室中直接予以进行，而不使用转移室在不同室之间搬运该半导体结构。
17.一种形成半导体结构的方法，其包含：
在介电层中形成通孔；
在该通孔中形成第一阻障层；
在该通孔中形成铜区域；
在该铜区域及该第一阻障层上方沉积第二阻障层；以及
在该第二阻障层上方沉积覆盖层；
其中，沉积该第二阻障层包含在等离子增强型化学气相沉积工具室中沉积自组装单层；
其中，在该第二阻障层上方沉积覆盖层是在该等离子增强型化学气相沉积工具室中直接予以进行，而不使用转移室在不同室之间搬运该半导体结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
