[发明专利]用于大集成电路管芯的结构和方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)管芯，包括：

包括第一电气结构的第一子体积，其中，所述第一电气结构包括位于所述IC管芯的器件层的第一部分中的器件；

包括第二电气结构的第二子体积，其中，所述第二电气结构包括位于所述IC管芯的所述器件层的第二部分中的器件；以及

包括位于所述第一子体积和所述第二子体积之间的电气通路的第三子体积；

其中，所述IC管芯具有大于750平方毫米的面积。

2.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述IC管芯具有大于33毫米的横向尺寸。

3.根据权利要求2所述的IC管芯，其中，所述横向尺寸是第一横向尺寸，并且所述IC管芯还具有大于22毫米的第二横向尺寸。

4.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述IC管芯的所述器件层的所述第一部分中的所述器件包括平面晶体管，并且所述IC管芯的所述器件层的所述第二部分中的所述器件包括非平面晶体管。

5.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述IC管芯的所述器件层的所述第一部分中的所述器件包括具有第一鳍高度的三栅极晶体管，所述IC管芯的所述器件层的所述第二部分中的所述器件包括具有第二鳍高度的三栅极晶体管，并且所述第一鳍高度不同于所述第二鳍高度。

6.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述第三子体积包括第一组金属化层和第二组金属化层，所述第一组金属化层位于所述第二组金属化层和所述器件层之间，并且所述第一组金属化层不包括任何电气通路。

7.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述第一电气结构提供处理单元并且所述第二电气结构提供存储器件。

8.根据权利要求7所述的IC管芯，其中，所述存储器件包括静态随机存取存储器(SRAM)器件或者动态随机存取存储器(DRAM)器件。

9.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述第一电气结构包括第一导电过孔，所述第二电气结构包括第二导电过孔，并且所述第一导电过孔所具有的材料成分不同于所述第二导电过孔的材料成分。

10.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述第一子体积的金属化包括第一组层和第二组层，所述第二子体积的金属化包括第一组层和第二组层，所述第一子体积的所述金属化的所述第一组层具有与所述第二子体积的所述金属化的所述第一组层相同的结构，并且所述第一子体积的所述金属化的所述第二组层具有与所述第二子体积的所述金属化的所述第二组层不同的结构。

11.根据权利要求10所述的IC管芯，其中，所述第一子体积的所述金属化的所述第二组层包括电容器或磁性材料。

12.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述第三子体积的金属化将所述第一子体积的金属化与所述第二子体积的金属化连接起来。

13.一种集成电路(IC)管芯组件，包括：

第一IC管芯，其包括：

包括第一电气结构的第一子体积，其中，所述第一电气结构包括位于所述第一IC管芯的器件层的第一部分中的器件，

包括第二电气结构的第二子体积，其中，所述第二电气结构包括位于所述第一IC管芯的所述器件层的第二部分中的器件，

包括位于所述第一子体积和所述第二子体积之间的电气通路的第三子体积，以及

位于所述第一IC管芯的顶面处的导电接触部；以及

电耦合至所述第一IC管芯的所述顶面处的所述导电接触部的第二IC管芯。

14.根据权利要求13所述的IC管芯组件，其中，所述第一IC管芯包括电力输送器件。