[发明专利]用于大集成电路管芯的结构和方法在审
申请号: | 201910628312.X | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN110828451A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | W·戈梅斯;M·博尔;B·S·多伊 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成电路 管芯 结构 方法 | ||
本文公开了用于大集成电路(IC)管芯的结构和方法以及相关组件和器件。例如,在一些实施例中,IC管芯可以包括:包括第一电气结构的第一子体积,其中,所述第一电气结构包括位于所述IC管芯的器件层的第一部分中的器件;包括第二电气结构的第二子体积,其中,所述第二电气结构包括位于所述IC管芯的器件层的第二部分中的器件;以及包括位于所述第一子体积和所述第二子体积之间的电气通路的第三子体积;其中,所述IC管芯具有大于750平方毫米的面积。
背景技术
集成电路(IC)管芯通常按照阵列形成在半导体晶圆上,之后通过单个化处理分开。
附图说明
通过结合附图考虑下面的详细说明能够容易地理解实施例。为了便于说明,采用类似的附图标记表示类似的结构元件。在附图的图示中通过举例方式而非限制方式示出了实施例。
图1A-1C是根据各种实施例的大集成电路(IC)管芯的图示。
图2是根据各种实施例的示例性大IC管芯的侧视截面图。
图3是根据各种实施例包括大IC管芯的示例性IC管芯组件的侧视截面图。
图4A和图4B是根据各种实施例包括大IC管芯的另一示例性IC管芯组件的图示。
图5A和图5B是根据各种实施例包括大IC管芯的另一示例性IC管芯组件的图示。
图6是根据各种实施例包括大IC管芯的另一示例性IC管芯组件的俯视图。
图7是根据各种实施例的另一示例性大IC管芯的俯视图。
图8A-8C示出了根据各种实施例制造大IC管芯的示例性过程的阶段。
图9A-9C示出了根据各种实施例制造大IC管芯的示例性过程的阶段。
图10是根据各种实施例的制造大IC管芯的示例性方法的流程图。
图11是根据本文公开的实施例中的任何实施例的晶圆和管芯(可以包括大IC管芯)的俯视图。
图12是根据各种实施例的可以包括大IC管芯的IC封装的侧视截面图。
图13是根据本文公开的实施例中的任何实施例可以包括大IC管芯的IC器件组件的侧视截面图。
图14是根据本文公开的实施例中的任何实施例可以包括大IC管芯的示例性电气器件的方框图。
具体实施方式
本文公开的是用于大集成电路(IC)管芯的结构和方法以及相关组件和器件。例如,在一些实施例中,IC管芯可以包括:包括第一电气结构的第一子体积,其中,所述第一电气结构包括位于所述IC管芯的器件层的第一部分中的器件;包括第二电气结构的第二子体积,其中,所述第二电气结构包括位于所述IC管芯的器件层的第二部分中的器件;以及包括位于所述第一子体积和所述第二子体积之间的电气通路的第三子体积;其中,所述IC管芯具有大于750平方毫米的面积。
复杂计算器件可能需要大量的不同计算部件,例如,处理器件、存储器、传感器和控制器。常规地,这些部件的每者是单独制造和封装的,之后所述单独部件耦合到一起,以形成计算器件。然而,利用单独封装的部件可能限制相互作用的部件所处位置的相互靠近程度,并因而限制部件可以相互作用的速度。此外,一个部件的制造商可能必须采用另一制造商的封装部件,因而可能对所述部件的设计和操作的耦合的严密程度存在限制(并因而对性能存在关联限制)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的