[发明专利]晶片干燥系统及方法

权利要求书

1.一种晶片干燥系统，包括：

一晶片干燥工作站，配置以分配一干燥气体至一个或多个晶片上，以干燥该一个或多个晶片，该晶片干燥工作站包括一排气管线；

一排气口，配置以将该干燥气体的一第一部份排出；

一侦测器，配置以接收并且化学识别该干燥气体的一第二部分；

一阀，在该排气管线与该排气口之间，并且在该排气管线以及该侦测器之间，其中该阀被配置以将该干燥气体的该第一部份与该第二部份分别转移至该排气口以及该侦测器；

一分析器，配置以量测该干燥气体的该第二部分中的污染物的一浓度；以及

一电路，配置以：

将该污染物的该浓度与一基准值比较；

对应该浓度等于或小于该基准值，命令该晶片干燥工作站移出该一个或多个晶片；以及

对应该浓度大于该基准值，命令该晶片干燥工作站干燥该一个或多个晶片。

2.如权利要求1所述的晶片干燥系统，其中该电路更配置以对应该浓度大于该基准值，命令该晶片干燥工作站以去离子水清洗该一个或多个晶片。

3.如权利要求1所述的晶片干燥系统，其中该污染包括挥发性的有机化合物、胺、无机酸、丙酮、二氧化硫、异丙醇、水蒸气、或是上述的结合。

4.如权利要求1所述的晶片干燥系统，其中该干燥气体包括一惰性气体或清洁干空气。

5.如权利要求4所述的晶片干燥系统，其中该惰性气体包括氮气、氩气、或氦气。

6.如权利要求1所述的晶片干燥系统，其中该分析器包括一飞行时间质谱仪、一离子移动率光谱仪、一湿度侦测器、或是上述的结合。

7.如权利要求1所述的晶片干燥系统，还包括：

一集束型机台，容纳该晶片干燥工作站以及该电路。

8.一种晶片干燥方法，包括：

在一晶片干燥工作站中，分配一干燥气体至一个或多个晶片上；

将该干燥气体的一第一部份转移至一排气口并将该干燥气体的一第二部份转移至一侦测器；

经由该排气口将该干燥气体的该第一部份从该晶片干燥站排出；

在该侦测器中收集并且化学识别该干燥气体的该第二部份；

量测在该干燥气体的该第二部分中污染物的一浓度；

对应该污染物的该浓度高于一基准值，重新分配该干燥气体至该一个或多个晶片上；以及

对应该浓度等于或小于该基准值，将该一个或多个晶片传送出该晶片干燥工作站。

9.如权利要求8所述的晶片干燥方法，其中该污染物包括在该干燥气体的该第二部分中的气体性分子污染物。

10.如权利要求8所述的晶片干燥方法，还包括：对应该污染物的该浓度高于该基准值，以去离子水清洗该一个或多个晶片。

11.如权利要求8所述的晶片干燥方法，还包括：

分配以及重新分配该干燥气体至该一个或多个晶片上的同时，旋转该一个或多个晶片。

12.如权利要求8所述的晶片干燥方法，其中该污染物包括挥发性的有机化合物、胺、无机酸、丙酮、二氧化硫、异丙醇、水蒸气、或是上述的结合。

13.如权利要求8所述的晶片干燥方法，其中该干燥气体包括氮气、氩气、氦气、或清洁干空气。