[发明专利]晶片干燥系统及方法有效

申请号：	201910628596.2	申请日：	2019-07-12
公开（公告）号：	CN110718483B	公开（公告）日：	2022-06-14
发明（设计）人：	徐伟钧;王恕言;吴圣威	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/02
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	于磊;李慧慧
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	晶片干燥系统方法
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【说明书】：

本公开涉及一种晶片干燥方法，此方法检测在干燥气体中的气体性分子污染物，作为单一晶片或多个晶片干燥处理的反馈参数。举例来说，此方法包括在晶片干燥工作站中，分配干燥气体至一个或多个晶片上；从晶片干燥工作站的排气口收集干燥气体；判断在干燥气体中污染物的浓度；若污染物的浓度高于基准值，重新分配干燥气体至一个或多个晶片上；以及若浓度等于或小于基准值，将一个或多个晶片传送出晶片干燥工作站。

技术领域

本公开实施例涉及一种晶片干燥系统及方法，特别涉及一种保持晶片清洁的晶片干燥系统及方法。

背景技术

半导体生产中使用的生产设备可能是集成电路(integrated circuit,IC)制造设施中对于晶片的粒子来源。在晶片制造过程中，半导体晶片经历多次处理操作。在IC制造期间随着晶片暴露于额外的处理时，晶片表面上的粒子数量可能会增加。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供一种晶片干燥系统，包括晶片干燥工作站、分析器、以及电路。晶片干燥工作站配置以分配干燥气体至一个或多个晶片上，以干燥一个或多个晶片；分析器配置以检测干燥气体中的污染并判断干燥气体中的污染的浓度；电路更配置以将污染的浓度与基准值比较；对应浓度等于或小于基准值，命令晶片干燥工作站移出一个或多个晶片；以及对应浓度大于基准值，命令晶片干燥工作站干燥一个或多个晶片。

根据本公开的一些实施例，提供一种晶片干燥方法，包括在晶片干燥工作站中，分配干燥气体至一个或多个晶片上；从晶片干燥工作站的排气口收集干燥气体；判断在干燥气体中污染物的浓度；对应污染物的浓度高于基准值，重新分配干燥气体至一个或多个晶片上；以及对应浓度等于或小于基准值，将一个或多个晶片传送出晶片干燥工作站。

根据本公开的一些实施例，提供一种晶片干燥系统，包括晶片干燥工作站、检测器、一个或多个分析器、以及电路。晶片干燥工作站配置以分配干燥气体至一个或多个晶片上；检测器配置以从晶片干燥工作站的排气管线收集分配至一个或多个晶片上的干燥气体；一个或多个分析器配置以分析收集的干燥气体，并且输出溶解在干燥气体中气体性分子污染物的浓度。晶片干燥系统也包括电路，配置以将气体性分子污染物的浓度与一个或多个基准值比较；对应气体性分子污染物的浓度等于或小于基准值，命令晶片干燥工作站将一个或多个晶片由晶片干燥工作站移出；以及对应气体性分子污染物的浓度大于基准值，命令晶片干燥工作站重新分配干燥气体至一个或多个晶片上。

附图说明

当阅读所附附图时，从以下的详细描述能最佳理解本公开的各方面。应注意的是，不同特征并未一定按照比例绘制。事实上，可任意的放大或缩小不同特征的大小及几何尺寸，以做清楚的说明。

图1是根据一些实施例的单一晶片干燥工作站的示意图。

图2是根据一些实施例的晶片干燥方法的流程图。

图3是根据一些实施例的晶片干燥系统。

附图标记说明：

100干燥工作站

110晶片

120支撑座

130基座

140干燥气体

150排气管线