[发明专利]引脚框架和半导体装置有效
申请号: | 201910628805.3 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN110718527B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 梶原义节;柴宪一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社三井高科技 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人: | 邹轶鲛;石红艳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引脚 框架 半导体 装置 | ||
1.一种引脚框架,包括:
芯片焊盘;以及
多个引脚,该多个引脚并排形成于所述芯片焊盘的周边,
其中,所述多个引脚中的各个引脚均包括在顶视图中向相邻的引脚倾斜的第一区域和布置为在顶视图中与相邻的引脚基本平行的第二区域,并且
所述第二区域具有在侧视图中向所述第一区域倾斜的倾斜部,
所述多个引脚中的各个引脚均形成有与所述倾斜部相邻的薄壁部,并且
所述薄壁部仅形成于所述多个引脚中的每个引脚的所述第二区域,
所述第一区域的厚度大于所述薄壁部的厚度。
2.根据权利要求1所述的引脚框架,其中,在所述引脚中,所述薄壁部相对于所述倾斜部形成于内侧,并且
其中,所述内侧是所述引脚框架中靠近所述芯片焊盘的一侧。
3.根据权利要求2所述的引脚框架,其中,内侧的所述薄壁部在顶视图中具有矩形形状。
4.根据权利要求2或3所述的引脚框架,其中,内侧的所述薄壁部的长度比所述薄壁部的宽度长。
5.一种引脚框架,包括:
芯片焊盘;以及
多个引脚,该多个引脚并排形成于所述芯片焊盘的周边,
其中,所述多个引脚中的各个引脚均包括在顶视图中向相邻的引脚倾斜的第一区域和布置为在顶视图中与相邻的引脚基本平行的第二区域,并且
所述第二区域具有在侧视图中向所述第一区域倾斜的倾斜部,
所述多个引脚中的各个引脚均形成有与所述倾斜部相邻的薄壁部,
其中,在所述引脚中,一对所述薄壁部相对于所述倾斜部形成于内侧和外侧,并且
其中,所述内侧是所述引脚框架中靠近所述芯片焊盘的一侧并且所述外侧是靠近所述引脚框架的外缘的一侧。
6.根据权利要求5所述的引脚框架,其中,所述一对薄壁部中的内侧的薄壁部的面积大于外侧的薄壁部的面积。
7.根据权利要求1或5所述的引脚框架,其中,所述第二区域在相对于所述倾斜部的外侧具有在侧视图中向所述第一区域倾斜的第二倾斜部,
其中,所述外侧是靠近所述引脚框架的外缘的一侧,并且
所述多个引脚中的各个引脚均形成有与所述第二倾斜部相邻的薄壁部。
8.一种半导体装置,包括:
根据权利要求1至7中任一项所述的引脚框架;
半导体元件,该半导体元件结合至所述芯片焊盘;以及
密封树脂,所述芯片焊盘和所述半导体元件由该密封树脂密封。
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