[发明专利]一种用于提供应力测试电压的电路有效

专利信息
申请号: 201910629789.X 申请日: 2019-07-12
公开(公告)号: CN110262611B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 李奕勋 申请(专利权)人: 广东浪潮大数据研究有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁曼曼
地址: 510620 广东省广州市天河区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 提供 应力 测试 电压 电路
【权利要求书】:

1.一种用于提供应力测试电压的电路,包括POL测试电路,其特征在于,还包括:用于控制所述POL测试电路的输出电压的控制电路;所述控制电路包括:与第一分压电阻并联以提供高余量电压的高余量控制电路;与第二分压电阻并联以提供低余量电压的低余量控制电路;

所述高余量控制电路包括第一余量电阻和与所述第一余量电阻串联以控制所述第一余量电阻的接入或断开的第一开关;

所述低余量控制电路包括第二余量电阻和与所述第二余量电阻串联以控制所述第二余量电阻的接入或断开的第二开关;

所述第一余量电阻和所述第二余量电阻具体为可调电阻,所述第一分压电阻的两端分别于与所述POL测试电路的输出端和所述第二分压电阻的一端连接,所述第二分压电阻的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的用于提供应力测试电压的电路,其特征在于,还包括:用于向所述第一开关和所述第二开关提供通断信号的开关控制器件。

3.根据权利要求2所述的用于提供应力测试电压的电路,其特征在于,所述开关控制器件的数量具体为1个。

4.根据权利要求3所述的用于提供应力测试电压的电路,其特征在于,所述第一开关具体为第一N-MOSFET;所述第二开关具体为第二N-MOSFET;

所述开关控制器件与所述第一N-MOSFET的栅极连接,所述第一N-MOSFET的漏极与所述第一余量电阻的一端连接,所述第一N-MOSFET的源极与所述第一分压电阻的一端连接;

所述开关控制器件与所述第二N-MOSFET的栅极连接,所述第二N-MOSFET的漏极与所述第二余量电阻的一端连接,所述第二N-MOSFET的源极与所述第二分压电阻的一端连接。

5.根据权利要求3或4所述的用于提供应力测试电压的电路,其特征在于,所述开关控制器件具体为CPLD。

6.根据权利要求1所述的用于提供应力测试电压的电路,其特征在于,还包括:电压传感器;

所述电压传感器与所述POL测试电路的输出端连接,用于检测所述输出电压的电压值。

7.根据权利要求6所述的用于提供应力测试电压的电路,其特征在于,还包括:电流传感器;

所述电流传感器与所述POL测试电路的输出端连接,用于检测所述POL测试电路的输出电流的电流值。

8.根据权利要求7所述的用于提供应力测试电压的电路,其特征在于,还包括:上位机;所述上位机通过通信模块与所述电压传感器和所述电流传感器连接。

9.根据权利要求8所述的用于提供应力测试电压的电路,其特征在于,还包括:用于在所述电压值高于电压阈值或所述电流值高于电流阈值时进行报警提示的报警装置;所述报警装置与所述上位机连接。

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