[发明专利]掩模结构及其制造方法及工作件加工系统在审
申请号: | 201910634823.2 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN110783493A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 林进志;陈裕宏;辛孟鸿 | 申请(专利权)人: | 永恒光实业股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;C23C14/04 |
代理公司: | 11592 北京天驰君泰律师事务所 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 图案化金属层 开口 第一表面 复数 通孔 第二表面 第二侧壁 第三侧壁 第一侧壁 掩模结构 加工系统 开口设置 连续平面 工作件 制造 | ||
1.一种掩模结构,其特征在于,所述掩模结构包括:
衬底,具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
第一图案化金属层,设置在所述衬底的所述第一表面上,具有复数个第一开口,所述第一开口具有第一侧壁;及
第二图案化金属层,设置在所述衬底的所述第二表面上,具有复数个第二开口,所述第二开口具有第二侧壁;
其中所述衬底具有复数个通孔,所述通孔具有第三侧壁,所述通孔对应所述第一开口和所述第二开口设置,且所述第三侧壁与所述第一侧壁和所述第二侧壁构成连续平面。
2.如权利要求1的掩模结构,其特征在于,所述第一侧壁具有第一斜率,所述第二侧壁具有第二斜率,所述第三侧壁具有第三斜率,其中所述第一斜率等于所述第三斜率,且所述第三斜率等于所述第二斜率。
3.如权利要求2的掩模结构,其特征在于,所述通孔的所述第三侧壁垂直于所述第一表面。
4.如权利要求3的掩模结构,其特征在于,所述通孔的所述第三侧壁沿着与所述第一表面垂直的方向与所述第一开口的所述第一侧壁和所述第二开口的所述第二侧壁重叠。
5.如权利要求2的掩模结构,其特征在于,所述第三侧壁与所述第一表面之间具有大于90度的夹角。
6.如权利要求5的掩模结构,其特征在于,所述第一开口大于所述通孔,且所述通孔大于所述第二开口。
7.一种工作件加工系统,所述工作件加工系统包括如权利要求1所述的掩模结构,所述工作件加工系统用于对工作件进行加工,其中所述加工包括产生材料层的粒子,所述粒子通过所述掩模结构沉积于所述工作件上形成材料薄膜以完成所述加工,其特征在于,所述粒子通过所述掩模结构的所述第一开口、所述通孔和所述第二开口以沉积于所述工作件上。
8.一种制造掩模结构的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供衬底,所述衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;
于所述衬底的所述第一表面上形成第一金属层,并于所述衬底的所述第二表面上形成第二金属层;及
将所述衬底、所述第一金属层和所述第二金属层进行通孔制程,使所述衬底具有复数个通孔、所述第一金属层具有复数个第一开口及所述第二金属层具有复数个第二开口,其中所述第一开口的第一侧壁、所述第二开口的第二侧壁和所述通孔的第三侧壁构成连续平面。
9.如权利要求8的方法,其特征在于,所述第一金属层和所述第二金属的形成方法包括化学沉积工艺、电镀工艺或附接工艺。
10.如权利要求8的方法,其特征在于,所述通孔制程包括激光钻孔工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择