[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201910634871.1 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN110875348A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 朴宰弘;金成云;南敏基;朴卿元;宋东翰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.显示设备,包括:
衬底;
多个像素,位于所述衬底上,所述像素中的每一个包括第一子像素至第三子像素,所述第一子像素至所述第三子像素各自包括配置成发射光的至少一个发光二极管;以及
颜色转换层,包括分别与所述第一子像素至所述第三子像素对应的第一颜色转换图案至第三颜色转换图案,所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的每一个配置成透射所述光或将所述光转换成不同颜色的光,
其中,所述第一子像素至所述第三子像素中的每一个的所述发光二极管联接至第一电极和第二电极,以及
其中,所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的至少一个包括钙钛矿化合物。
2.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的两个颜色转换图案各自包括钙钛矿化合物,
其中,各自包括所述钙钛矿化合物的所述颜色转换图案是所述第一颜色转换图案和所述第二颜色转换图案,以及
其中,所述第一颜色转换图案配置成将所述光转换成红色光,所述第二颜色转换图案配置成将所述光转换成绿色光,以及所述第三颜色转换图案配置成透射所述光。
3.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的一个包括钙钛矿化合物,并且所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的另一个包括量子点,以及
其中,所述第一颜色转换图案包括配置成将所述光转换成红色光的量子点,以及所述第二颜色转换图案包括配置成将所述光转换成绿色光的钙钛矿化合物。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的显示设备,其中,所述第一颜色转换图案和所述第二颜色转换图案中的至少一个还包括量子点。
5.根据权利要求2或权利要求3所述的显示设备,其中,所述第一子像素至所述第三子像素的所述发光二极管配置成发射蓝色光。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述钙钛矿化合物由从包括以下化学式1、化学式2、化学式3和化学式4的群组中选择的一个来表示:
AMX3[化学式1]其中,A是一价有机阳离子或者一价过渡金属或碱金属阳离子,M是二价过渡金属、稀土金属、碱土金属、Pb、Sn、Ge、Ga、In、Al、Sb、Bi或Po阳离子,X从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择,以及A、M和X中的两个或更多是相同或不同的;
A3M2X9[化学式2]其中,A从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择,M从由三价阳离子及其组合组成的群组中选择,X从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择,以及A、M和X中的两个或更多是相同或不同的;
A2MM'X6[化学式3]其中,A从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择,M是一价过渡金属、碱金属或In阳离子,M'是三价阳离子,X从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择,以及A、M和X中的两个或更多是相同或不同的;
A2MX4[化学式4]其中,A从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择,M是二价金属阳离子,X从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择,以及A、M和X中的两个或更多是相同或不同的。
7.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述钙钛矿化合物具有从由量子点、纳米晶体、纳米板、纳米片及其组合组成的群组中选择的形式,以及
其中,所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的所述至少一个包括聚合物,所述聚合物与所述钙钛矿化合物形成组合物。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的所述至少一个通过在电介质基质中散布或堆叠所述钙钛矿化合物而提供。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的