[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：

鳍型有源区，所述鳍型有源区在衬底上沿第一方向延伸；

栅极结构，所述栅极结构与所述鳍型有源区交叉并且在所述衬底上沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；以及

第一接触结构，所述第一接触结构设置在所述栅极结构上，并且所述第一接触结构的顶表面的宽度大于所述第一接触结构的底表面的宽度。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一接触结构的侧壁具有逐渐倾斜的侧壁轮廓。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：

下绝缘衬垫，所述下绝缘衬垫包围所述第一接触结构的侧壁的下部；以及

上绝缘衬垫，所述上绝缘衬垫包围所述第一接触结构的所述侧壁的上部，并且在垂直于所述衬底的所述顶表面的第三方向上与所述下绝缘衬垫分开。

4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，所述栅极结构包括：

沿所述第二方向延伸的栅电极；以及

设置在所述栅电极的两个侧壁上的栅极间隔物，

其中，所述下绝缘衬垫沿所述第三方向在所述栅极间隔物的侧壁上延伸，

其中，所述下绝缘衬垫的底表面与所述栅电极的顶表面设置在相同的水平高度处。

5.根据权利要求3所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括覆盖所述栅极结构的顶表面的层间绝缘层，

其中，所述第一接触结构的所述侧壁在比所述上绝缘衬垫的底表面的水平高度低且比所述下绝缘衬垫的顶表面的水平高度高的水平高度处被所述层间绝缘层包围。

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述第一接触结构布置在第一接触孔中，所述第一接触孔穿过所述层间绝缘层并具有扩展上部区，

其中，所述上绝缘衬垫设置在所述扩展上部区中。

7.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，所述下绝缘衬垫在所述第一方向上的宽度从所述栅极结构的顶表面朝向所述第一接触结构的顶表面逐渐减小。

8.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中，所述下绝缘衬垫的上部是锥形的。

9.根据权利要求3所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：

在所述栅极结构的两侧设置在所述鳍型有源区中的源极/漏极区；

设置在所述源极/漏极区上的第二接触结构；以及

设置在所述第二接触结构的侧壁上的衬垫结构，

其中，所述衬垫结构在所述第一方向上的宽度大于所述下绝缘衬垫在所述第一方向上的宽度。

10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述衬垫结构包括：

包围所述第二接触结构的侧壁的第一绝缘衬垫；以及

包围所述第一绝缘衬垫的侧壁的第二绝缘衬垫，

其中，所述第一绝缘衬垫包括与所述上绝缘衬垫和所述下绝缘衬垫相同的材料。

11.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中，所述第一接触结构的顶表面设置在与所述第二接触结构的顶表面的水平高度相同的水平高度处。

12.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：

在所述栅极结构的两侧设置在所述鳍型有源区中的源极/漏极区；

设置在所述源极/漏极区上的第二接触结构；以及

设置在所述第二接触结构的侧壁上并且与所述栅极结构的侧壁接触的绝缘衬垫。

13.根据权利要求12所述的集成电路器件，其中，所述第一接触结构的顶表面设置在比所述第二接触结构的顶表面的水平高度高的水平高度处。