[发明专利]集成电路器件

说明书

提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍型有源区；与鳍型有源区交叉并且在衬底上沿垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极结构；以及设置在栅极结构上的第一接触结构，第一接触结构的顶表面的宽度大于第一接触结构的底表面的宽度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0106107的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及集成电路器件，更具体地，涉及包括鳍型有源区的集成电路器件。

背景技术

随着电子产品趋于轻、薄、短和小，对集成电路器件高度集成的需求正在增加。随着集成电路器件的尺寸缩小，出现了晶体管的短沟道效应，因此，集成电路器件的可靠性劣化。为了减小短沟道效应，提出了包括鳍型有源区的集成电路器件。然而，随着设计规则的减小，鳍型有源区、栅极线和源极/漏极区的尺寸也减小。

发明内容

本发明构思提供了一种具有减小的尺寸和高的电气性能的集成电路器件。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件可以包括：鳍型有源区，所述鳍型有源区在衬底上沿第一方向延伸；栅极结构，所述栅极结构与所述鳍型有源区交叉并且在所述衬底上沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；以及第一接触结构，所述第一接触结构设置在所述栅极结构上，并且所述第一接触结构的顶表面的宽度大于所述第一接触结构的底表面的宽度。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件可以包括：多个鳍型有源区，所述多个鳍型有源区从衬底的顶表面突出并在所述衬底上沿第一方向延伸；多个栅极结构，所述多个栅极结构与所述多个鳍型有源区交叉并且在所述衬底上沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；多个源极/漏极区，所述多个源极/漏极区在所述多个栅极结构的两侧设置在所述鳍型有源区中；第一接触结构，所述第一接触结构设置在所述多个栅极结构中的第一栅极结构上，并且所述第一接触结构的顶表面的宽度大于所述第一接触结构的底表面的宽度；以及包围所述第一接触结构的侧壁的至少一部分的绝缘衬垫。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件可以包括：鳍型有源区，所述鳍型有源区从衬底的顶表面突出并在所述衬底上沿第一方向延伸；栅极结构，所述栅极结构与所述鳍型有源区交叉并且在所述衬底上沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；设置在所述栅极结构上的层间绝缘层；接触结构，所述接触结构设置在接触孔中，穿过所述层间绝缘层，电连接到所述栅极结构，并且所述接触结构的顶表面的宽度大于所述接触结构的底表面的宽度；包围所述接触结构的侧壁的至少一部分的绝缘衬垫。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的示例性实施例，其中：

图1是示出了根据示例性实施例的集成电路器件的布局图；

图2是沿图1中的X1-X1'线和X2-X2'线截取的截面图；

图3是沿图1中的Y1-Y1'线截取的截面图；

图4是图2中的CX1区域的放大图；

图5是示出根据示例性实施例的集成电路器件的截面图；

图6是示出根据示例性实施例的集成电路器件的等效电路图；

图7是根据示例性实施例的集成电路器件的布局图；

图8是沿图7中的X3-X3'线和X4-X4'线截取的截面图；以及

图9至图20是示出了根据示例性实施例的制造集成电路器件的方法的截面图。

具体实施方式