[发明专利]光耦合装置及其安装部件在审

专利信息
申请号: 201910635635.1 申请日: 2019-07-15
公开(公告)号: CN111403542A 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 斋藤圭太;鹰居直也 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L31/12 分类号: H01L31/12;H01L31/02;H01L31/0203;H01L25/16
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 夏斌
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 耦合 装置 及其 安装 部件
【权利要求书】:

1.一种安装部件,具备:

绝缘基板,具有上表面、第一侧面、与上述第一侧面相反侧的第二侧面、以及下表面;

输入端子,具有第一引线以及第二引线,设置于上述绝缘基板的上述第一侧面侧,上述第一引线具有上述绝缘基板的上述上表面的第一导电区域、在设置于上述第一侧面的切口部的侧壁上设置的第二导电区域、以及上述下表面的第三区域,上述第二引线具有上述绝缘基板的上述上表面的第四导电区域、上述第一侧面的第五导电区域、以及上述下表面的第六导电区域;

输出端子,具有第三引线以及第四引线,设置于上述绝缘基板的上述第二侧面侧,上述第三引线具有上述绝缘基板的上述上表面的第七导电区域、设置在上述第二侧面的切口部的侧壁上的第八导电区域、以及上述下表面的第九导电区域,上述第四引线具有上述绝缘基板的上述上表面的第十导电区域、上述第二侧面的第十一导电区域、以及上述下表面的第十二导电区域;

第一芯片板部,设置于上述第一引线与上述第三引线之间的上述绝缘基板的上述上表面;

第二芯片板部,设置于上述第二引线与上述第四引线之间的上述绝缘基板的上述上表面;

第一孔贯通电极,设置在设置于上述绝缘基板的第一贯通孔内,连接上述第一芯片板部与上述第三引线;以及

第二孔贯通电极,设置在设置于上述绝缘基板的第二贯通孔内,连接上述第二芯片板部与上述第四引线,

上述第一引线的上述第一导电区域具有端部包括在将上述第一侧面包含在内的平面中的信号输入部、以及沿着上述第一侧面朝向上述第四导电区域延伸的弯曲部,上述第二引线的上述第四导电区域具有端部包括在将第一侧面包含在内的上述平面中的信号输入部、以及沿着上述第一侧面朝向上述第一导电区域延伸的弯曲部。

2.根据权利要求1所述的安装部件,其中,

上述第一孔贯通电极包括多个区域,

上述第二孔贯通电极包括多个区域。

3.一种光耦合装置,具备:

权利要求1或2所述的安装部件;

第一MOSFET,设置在上述第一芯片板部之上,具有与上述第一芯片板部的外缘之一平行的第一侧面;

第二MOSFET,设置在上述第二芯片板部之上,具有与上述第二芯片板部的外缘之一平行的第一侧面;

半导体受光元件,以跨越上述第一MOSFET与上述第二MOSFET之间的间隙部的方式,与上述第一MOSFET的表面中的上述第一引线侧以及上述第二MOSFET的表面中的上述第二引线侧接合,一方的电极与上述第一以及第二MOSFET的栅极分别连接,另一方的电极与上述第一以及第二MOSFET的源极分别连接;

半导体发光元件,接合在上述半导体受光元件的表面的受光区域上;

第一布线部,跨越上述间隙部将上述第一MOSFET中的设置在上述第三引线侧的源极与上述第二MOSFET的上述表面中的设置在上述第四引线侧的源极连接;

第二布线部,将上述第一引线的上述弯曲部的前端部与上述半导体发光元件的一方的电极连接;

第三布线部,将上述第二引线的上述弯曲部的前端部与上述半导体发光元件的另一方的电极连接;以及

封固树脂层,设置在上述绝缘基板的上述表面、上述输入端子、上述输出端子、上述第一芯片板部、上述第二芯片板部、上述半导体受光元件、以及上述半导体发光元件之上。

4.根据权利要求3所述的光耦合装置,还具备:

第四布线部,将上述半导体受光元件的上述一方的电极与上述第一MOSFET的上述栅极连接;

第五布线部,将上述半导体受光元件的上述一方的电极与上述第二MOSFET的上述栅极连接;

第六布线部,将上述半导体受光元件的上述另一方的电极与上述第一MOSFET的上述源极连接;以及

第七布线部,将上述半导体受光元件的上述另一方的电极与上述第二MOSFET的上述源极连接。

5.根据权利要求3所述的光耦合装置,其中,

上述第一MOSFET以及第二MOSFET分别是纵向MOSFET。

6.根据权利要求3所述的光耦合装置,其中,

上述第一布线部包括长度不同的多条接合线。

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