[发明专利]光耦合装置及其安装部件在审
申请号: | 201910635635.1 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN111403542A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 斋藤圭太;鹰居直也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/02;H01L31/0203;H01L25/16 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 夏斌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 耦合 装置 及其 安装 部件 | ||
实施方式提供能够实现大电流输出的光耦合装置及其安装部件。实施方式的光耦合装置具有安装部件、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、第一布线部、第二布线部、第三布线部、以及封固树脂层。半导体受光元件以跨越第一MOSFET与第二MOSFET之间的间隙部的方式与第一MOSFET以及第二MOSFET接合,一方的电极与第一以及第二MOSFET的栅极连接,另一方的电极与第一以及第二MOSFET的源极连接。第一布线部跨越第一直线而连接第一MOSFET的源极和第二MOSFET的源极。第二布线部连接第一引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的一方的电极。第三布线部连接第二引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的另一方的电极。
关联申请:本申请享有以日本特许申请2018-233611号(申请日:2018年12月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及光耦合装置及其安装部件。
背景技术
当在1个电子设备内直接结合不同的电源系统时,有时会产生动作不良。
当使用输入输出间被绝缘的光耦合装置时,能够抑制动作不良。例如,在变频空调等中,为了进行交流负载控制而使用多个光耦合器。并且,为了进行半导体自动测试器的信号切换而使用多个光控继电器。
在这些用途中,日益要求大电流输出。
发明内容
实施方式提供能够进行大电流输出的光耦合装置及其安装部件。
实施方式的光耦合装置具有安装部件、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、第一布线部、第二布线部、第三布线部、封固树脂层。上述安装部件具有绝缘基板、输入端子、输出端子、第一芯片板部(die-pad)、第二芯片板部、第一孔贯通电极、第二孔贯通电极。上述绝缘基板具有上表面、第一侧面、与上述第一侧面相反侧的第二侧面、以及下表面。上述输入端子是具有第一引线以及第二引线且设置于上述绝缘基板的上述第一侧面侧的输入端子,上述第一引线具有上述绝缘基板的上述上表面的第一导电区域、在设置于上述第一侧面的切口部的侧壁设置的第二导电区域、以及上述下表面的第三区域,上述第二引线具有上述绝缘基板的上述上表面的第四导电区域、上述第一侧面的第五导电区域、以及上述下表面的第六导电区域。上述输出端子是具有第三引线以及第四引线且设置于上述绝缘基板的上述第二侧面侧的输出端子,上述第三引线具有上述绝缘基板的上述上表面的第七导电区域、设置于上述第二侧面的切口部的第八导电区域、以及上述下表面的第九导电区域,上述第四引线具有上述绝缘基板的上述上表面的第十导电区域、上述第二侧面的第十一导电区域、以及上述下表面的第十二导电区域。上述第一芯片板部设置于上述第一引线与上述第三引线之间的上述绝缘基板的上述上表面。上述第二芯片板部设置于上述第二引线与上述第四引线之间的上述绝缘基板的上述上表面。上述第一孔贯通电极设置在设置于上述绝缘基板的第一贯通孔内,连接上述第一芯片板部与上述第三引线。上述第二孔贯通电极设置在设置于上述绝缘基板的第二贯通孔内,连接上述第二芯片板部与上述第四引线。上述第一引线的上述第一导电区域具有端部包含在包含上述第一侧面的平面内的信号输入部、和沿着上述第一侧面朝向上述第四导电区域延伸的弯曲部。上述第二引线的上述第四导电区域具有端部包含在包含上述第一侧面的上述面内的信号输入部、和沿着上述第一侧面朝向上述第一导电区域延伸的弯曲部。上述第一MOSFET设置在上述第一芯片板部之上,具有与上述第一芯片板部的外缘之一平行的第一侧面。上述第二MOSFET设置在上述第二芯片板部之上,具有与上述第二芯片板部的外缘之一平行的第一侧面。上述半导体受光元件以跨越上述第一MOSFET与上述第二MOSFET之间的间隙部的方式与上述第一MOSFET的表面中的上述第一引线侧以及第二MOSFET的表面中的上述第二引线侧接合,一方的电极与第一以及第二MOSFET的栅极分别连接,另一方的电极与第一以及第二MOSFET的源极分别连接。上述半导体发光元件接合在上述半导体受光元件的表面的受光区域上。上述第一布线部跨越上述间隙部而将上述第一MOSFET中的设置在上述第三引线侧的源极和上述第二MOSFET的上述表面中的设置在上述第四引线侧的源极连接。上述第二布线部将上述第一引线的上述弯曲部的前端部和上述半导体发光元件的一方的电极连接。上述第三布线部将上述第二引线的上述弯曲部的前端部和上述半导体发光元件的另一方的电极连接。上述封固树脂层设置于上述绝缘基板的上述表面、上述输入端子、上述输出端子、上述第一芯片板部、上述第二芯片板部、上述半导体受光元件、以及上述半导体发光元件之上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910635635.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的