[发明专利]包括分布式写入驱动布置的半导体器件及其操作方法

说明书

根据本申请的实施例，一种半导体存储器器件包括：本地写入位(LWB)线；本地写入位_bar(LWB_bar)线；全局写入位(GWB)线；全局写入位_bar(GWBL_bar)线；区段列，每区段包括位单元；位单元的每个包括锁存电路和将对应的LWB和LWB_bar线连接到锁存电路的第一通路栅极和第二通路栅极；以及分布式写入驱动布置。分布式写入驱动布置包括：全局写入驱动器，包括在GWB线和LWB线之间连接的第一反相器、以及在GWB_bar线和LWB_bar线之间连接的第二反相器；以及包括在每个区段的内部处的本地写入驱动器，每个本地写入驱动器包括在GWB线和LWB线之间连接的第三反相器；以及在GWB_bar线和LWB_bar线之间连接的第四反相器。本申请的实施例提供了半导体存储器器件和在分布式基础上在SRAM宏中写入‑驱动列的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及包括分布式写入驱动布置的半导体器件及其操作方法。

背景技术

在典型的存储器系统中，存储器单元布置成阵列。每个存储器单元(也称为单元)存储表示一位的数据。每个单元位于行和列的交叉点。因此，通过选择在特定单元处相交的行和列来访问特定单元。列中的每个单元连接到位线。输入/输出(I/O)电路使用位线从列中选定的一个位单元读取数据或将数据写入列中选定的一个位单元。

通常地，列中存在许多单元。由于I/O电路和单元之间的物理距离变化，位线表示列中每个单元的不同电阻负载和/或电容负载。

发明内容

根据本申请的实施例，提供了一种半导体存储器器件，包括：本地写入位(LWB)线；本地写入位_bar(LWB_bar)线；全局写入位(GWB) 线；全局写入位_bar(GWB_bar)线；区段列，每个区段包括位单元；所述位单元的每个包括锁存电路以及将对应的所述LWB线和所述LWB_bar 线连接到所述锁存电路的第一通路栅极和第二通路栅极；以及分布式写入驱动布置包括全局写入驱动器和本地写入驱动器：所述全局写入驱动器包括：在所述GWB线和所述LWB线之间连接的第一反相器；以及在所述 GWB_bar线和所述LWB_bar线之间连接的第二反相器；以及每个区段中包含的所述本地写入驱动器，每个本地写入驱动器位于对应所述区段的内部，每个本地写入驱动器包括：在所述GWB线和所述LWB线之间连接的第三反相器；以及在所述GWB_bar线和所述LWB_bar线之间连接的第四反相器。

根据本申请的实施例，提供了一种半导体存储器器件，包括：区段列，每个区段包括位单元；本地写入位(LWB)线；本地写入位_bar(LWB_bar) 线；全局写入位(GWB)线；全局写入位_bar(GWB_bar)线；所述位单元的每个包括：锁存电路；以及连接对应的所述LWB线和所述LWB_bar 线到所述锁存电路的第一通路栅极和第二通路栅极；以及分布式写入驱动布置包括：在所述GWB线和所述LWB线之间以及所述GWB_bar线和所述LWB_bar线路之间连接的全局写入驱动器；每个区段中包括的本地写入驱动器，每个本地写入驱动器在所述GWB线和所述LWB线之间以及在所述GWB_bar线和所述LWB_bar线之间连接；以及其中：每个本地写入驱动器位于第一器件层中；以及所述全局写入驱动器位于所述第一器件层上的第二器件层中。