[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

一第一半导体层；

一第二半导体层；

一活性层，设置于该第一半导体层及该第二半导体层之间；

一磁性层，该第二半导体层设置于该磁性层上；以及

一电极层，设置于该第一半导体层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括一焊接层，该焊接层设置于该磁性层与该第二半导体层之间。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，该第一半导体层及该第二半导体层分别为一N型半导体层及一P型半导体层。

4.如权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，该活性层为一量子井层。

5.一种发光二极管显示设备，其特征在于，包括：

一第一基板，包括多个第一焊垫层；

多个发光二极管芯片，分别设置于该第一基板的所述多个第一焊垫层上，所述多个发光二极管芯片的每一个包括一第一半导体层、一第二半导体、一活性层、一磁性层及一电极层，该活性层设置于该第一半导体层及该第二半导体层之间，该第二半导体层设置于该磁性层上，而该电极层设置于该第一半导体层上，其中，所述多个发光二极管芯片的每一个的该磁性层各与所述多个第一焊垫层的其中一个电性连接；以及

一第二基板，设置于所述多个发光二极管芯片上，且包括多个第二焊垫层，其中，所述多个发光二极管芯片的每一个的该电极层各与所述多个第二焊垫层的其中一个电性连接。

6.如权利要求5所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该第一基板为一承载基板，而该第二基板为一透明基板。

7.如权利要求5所述的发光二极管显示设备，其特征在于，该第一半导体层及该第二半导体层分别为一N型半导体层及一P型半导体层，该活性层为一量子井层。

8.如权利要求5至7任一项所述的发光二极管显示设备，其特征在于，还包括一屏蔽结构，该屏蔽结构设置于该第一基板上，且位于所述多个发光二极管芯片之间，以隔离所述多个发光二极管芯片。

9.如权利要求5至7任一项所述的发光二极管显示设备，其特征在于，还包括多个荧光粉层，所述多个荧光粉层设置于该第二基板上，且分别遮蔽所述多个发光二极管芯片的一部分。

10.如权利要求9所述的发光二极管显示设备，其特征在于，所述多个荧光粉层分别遮蔽所述多个发光二极管芯片的全部。

11.一种发光二极管显示设备的制造方法，其特征在于，包括：

提供一转移基板及多个发光二极管芯片，其中，所述多个发光二极管芯片设置于该转移基板上，且所述多个发光二极管芯片的每一个包括一磁性层；

利用一磁性模块吸引所述多个发光二极管芯片的该磁性层，以使所述多个发光二极管芯片从该转移基板吸起至该磁性模块；

移动该磁性模块至一第一基板上，然后使该磁性模块停止吸引所述多个发光二极管芯片的该磁性层，以使所述多个发光二极管芯片设置于该第一基板上；以及

设置一第二基板于所述多个发光二极管芯片上。

12.如权利要求11所述的发光二极管显示设备的制造方法，其特征在于，该磁性模块是接触所述多个发光二极管芯片的该磁性层而吸引该磁性层。

13.如权利要求11所述的发光二极管显示设备的制造方法，其特征在于，该磁性模块是接触所述多个发光二极管芯片的电极层而吸引该磁性层。

14.如权利要求11所述的发光二极管显示设备的制造方法，其特征在于，该磁性模块分次地将所述多个发光二极管芯片的一部分吸起，然后设置于该第一基板上。