[发明专利]一种用于三寸晶圆贴蜡的方法有效
申请号: | 201910637111.6 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN110400771B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 王忠远;袁超;万远涛 | 申请(专利权)人: | 浙江光特科技有限公司;重庆电子工程职业学院 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;B05C9/00;B05C9/08 |
代理公司: | 绍兴普华联合专利代理事务所(普通合伙) 33274 | 代理人: | 韩云涵 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 三寸晶圆贴蜡 方法 | ||
本发明公开了一种用于三寸晶圆贴蜡的方法,在恒温加热台上放置一块陶瓷盘,然后开启恒温加热台,设定温度为60℃,当陶瓷盘的温度升至设定温度时保持恒温一段时间,用蜡棒在陶瓷盘上涂蜡;把尺寸大小为三寸的晶圆放置于蜡层上,将恒温加热台升温至80℃;用无尘纸团按压三寸晶圆并在上下左右四个方向进行移动;用无尘纸团按压三寸晶圆的圆心位置并以圆心为中心点绕圆心打圈;重复步骤S3‑S4,直至气泡直径小于1mm;用抽真空装置抽吸三寸晶圆上的剩余气泡;将陶瓷盘放置于贴蜡机的冷却板上,使用具有冷却加压的功能的贴蜡机加压0.25MPA。本发明将研磨晶圆尺寸提升至三寸,从而可以提升后续工序的效率,极大提升整体生产效率。
技术领域
本发明涉及晶圆贴蜡技术领域,尤其是涉及一种用于三寸晶圆贴蜡的方法。
背景技术
半导体行业晶圆贴蜡工艺中,需经过贴蜡前加热、上蜡贴片、下蜡三个步骤。在晶圆贴蜡工艺中,先在陶瓷盘上涂蜡融化,再将晶圆贴蜡,加压冷却,即晶圆贴蜡。
传统晶圆贴蜡工艺采用加压冷却贴蜡的方式。生产过程中若需提升效率则需要采用更大尺寸的晶圆作业生产,若仍采用传统工艺,贴蜡后晶圆平整度会受到较大起伏。丙炔陶瓷盘上蜡熔化后将晶圆置于蜡上,会产生较多气泡,晶圆尺寸越大、气泡也越大、越多。若此时直接加压冷却,易造成晶圆破碎,以及平整度难以控制的问题。因此传统晶圆冷却加压贴蜡方式不利于晶圆贴蜡成品率,增加企业成本。此外传统工艺也有采用使用液体蜡定量液体蜡的滴数用量,再使用旋转、加压等方式控制TTV的自动设备,但成本较高。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种用于三寸晶圆贴蜡的方法,将研磨晶圆尺寸提升至三寸,从而提升后续工序的效率,极大提升整体生产效率。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种用于三寸晶圆贴蜡的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在恒温加热台上放置一块陶瓷盘,然后开启恒温加热台,设定温度为60℃,当陶瓷盘的温度升至设定温度时保持恒温一段时间,用蜡棒在陶瓷盘上涂蜡;
S2:把尺寸大小为三寸的晶圆放置于蜡层上,在60℃的陶瓷盘上进行涂蜡;
S3:将恒温加热台升温至80℃,用无尘纸团按压三寸晶圆并在上下左右四个方向进行移动;
S4:用无尘纸团按压三寸晶圆的圆心位置并以圆心为中心点绕圆心打圈;
S5:重复步骤S3-S4,直至气泡直径小于1mm;
S6:用抽真空装置抽吸三寸晶圆上的剩余气泡;
S7:将陶瓷盘放置于贴蜡机的冷却板上,加两张无尘纸,再加一硅胶垫,使用具有冷却加压的功能的贴蜡机加压0.25MPA,完成后拿出即可。
所述S3-S6均在80℃的恒温环境中进行。
所述蜡棒采用日化精工株式会社的ALCOWAX 5402SL。
所述抽真空装置包括真空泵、真空吸管、不锈钢圆碗、与不锈钢圆碗口径相同的密封圈和密封塞,所述不锈钢圆碗的外沿设有外沿口径套入有密封圈,所述不锈钢圆碗倒扣放置且上端面插入有密封塞,所述真空吸管插入密封塞内,所述真空吸管远离不锈钢圆碗的另一侧与真空泵连接。
本发明的有益效果是:1、成本较低,操作简单;2、通过合理利用固态蜡的熔点特性,可以控制上蜡厚度;3、采用人工按压以及抽真空的方式有效去除气泡,从而可以达到控制TTV的目的。
附图说明
图1为抽真空装置的结构示意图;
图2为图1中A处的放大图。
图中:不锈钢圆碗1、外沿口径11、密封圈2、真空吸管3、真空泵4、密封塞5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造