[发明专利]一种适于切花菊热处理茎尖脱毒组培基质及方法

权利要求书

1.一种适于切花菊热处理茎尖脱毒组培基质，其特征在于，所述组培基质由分阶段依次顺序使用的诱导培养基组合、脱毒茎尖诱导培养基组合、壮苗培养与增殖培养基组合、生根培养基组合组成：

所述诱导培养基组合由依次顺序使用的外植体诱导培养基、外植体初代诱导培养基、外植体诱导培养基组成；

所述脱毒茎尖诱导培养基组合由依次顺序使用的外植体诱导培养基、茎尖诱导培养基Ⅰ、茎尖诱导培养基Ⅱ组成；

壮苗培养与增殖培养基组合：其包括依次顺序使用的壮苗培养基和增殖培养基；

所述外植体初代诱导培养基的配方为：蔗糖35g/l、琼脂粉4.4g/l、pH5.6的MS+6-BA0.5mg/L + IBA 0.1mg/L；

所述茎尖诱导培养基Ⅰ的配方为：蔗糖20g/L，琼脂粉4.4g/L，pH5.8的1/2 B5+Ca（NO3）2500mg/L +6-BA 0.2 mg/L + NAA 0.1mg/L+AC 0.5mg/L；

所述茎尖诱导培养基Ⅱ的配方为： 蔗糖35g/l、琼脂粉4.4g/l、pH5.6的MS+6-BA0.2mg/L+ IBA 0.1mg/L；

所述壮苗培养基的配方为：3/4MS +6-BA 0.2 mg/L+IBA 0.1mg/L；

所述增殖培养基的配方为蔗糖20g/L，琼脂粉4.4g/L，pH5.6的T20-4培养基+6-BA0.2mg/l+IBA0.1mg/l，其中1L所述T20-4培养基的配制成分含量如下：KNO₃:1250mg、NH4NO₃:225mg、KH₂PO₄:175mg、MgSO₄·7H₂O:325mg、CaCl₂:165mg、KI:0.83mg、H₃BO₃:6.2mg、MnSO₄·4H₂O:22.3mg、ZnSO₄·7H₂O:8.6mg、CuSO₄·5H₂O：0.025mg、CoCl₂·6H₂O：0.025mg Na₂MnO₄·2H₂O：0.25mg、Na2-EDTA:37.3mg、FeSO₄·7H₂O:27.8mg、肌醇：100mg、烟酸0.5mg、盐酸吡哆醇0.5mg、盐酸硫胺素0.1mg、甘氨酸2.0mg；

所述生根培养基组合的配方为蔗糖30g/L，琼脂粉4.4g/L，pH5.8的1/2MS培养基+IBA0.5mg/l+AC0.5mg/l。