[发明专利]陶瓷混合绝缘体板在审
申请号: | 201910637929.8 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN110729228A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | J·西蒙斯;D·洛弗尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘体 静电吸盘 支撑主体 延伸部 基部 冷却 环绕 材料形成 处理基板 制造工艺 接地板 上支撑 基板 降解 耐受 配置 暴露 | ||
1.一种工艺腔室,包括:
主体,所述主体具有侧壁和底部;
盖,所述盖耦接到所述主体以限定在所述主体中的工艺容积;以及
静电吸盘,所述静电吸盘设置在所述工艺容积中,所述静电吸盘包括:
接地板;
绝缘体,所述绝缘体设置在所述接地板上;
设施板,所述设施板设置在所述绝缘体上;
冷却基部,所述冷却基部设置在所述设施板上;
支撑主体,所述支撑主体设置在所述冷却基部上,所述支撑主体中具有电极;以及
环,所述环环绕所述绝缘体设置,其中所述环由陶瓷材料形成。
2.如权利要求1所述的工艺腔室,其中所述环具有内表面,所述内表面限定穿过所述环的开口,其中所述绝缘体设置在所述开口中。
3.如权利要求1所述的工艺腔室,其中所述环包括环形部分和延伸部。
4.如权利要求3所述的工艺腔室,其中所述绝缘体被所述环形部分环绕,并且所述设施板被所述延伸部环绕。
5.如权利要求1所述的工艺腔室,其中所述绝缘体由聚合物材料形成。
6.如权利要求1所述的工艺腔室,其中所述环由氧化铝或氧化钇形成。
7.一种静电吸盘,包括:
接地板;
绝缘体,所述绝缘体设置在所述接地板上;
设施板,所述设施板设置在所述绝缘体上;
冷却基部,所述冷却基部设置在所述设施板上;
支撑主体,所述支撑主体设置在所述冷却基部上,所述支撑主体中具有电极;以及
环,所述环环绕所述绝缘体设置,其中所述环由陶瓷材料形成。
8.如权利要求7所述的静电吸盘,进一步包括:
第一密封件,所述第一密封件设置在所述环与所述设施板之间;以及
第二密封件,所述第二密封件设置在所述环与所述接地板之间。
9.如权利要求8所述的静电吸盘,其中所述第一密封件、所述第二密封件和所述环隔离设置在所述环内的所述绝缘体。
10.如权利要求7所述的静电吸盘,其中所述环具有径向向内的表面,所述径向向内的表面限定穿过所述环的开口,并且其中所述绝缘体设置在所述开口内。
11.如权利要求7所述的静电吸盘,其中所述绝缘体由聚合物材料形成。
12.如权利要求7所述的静电吸盘,其中所述环由氧化铝或氧化钇形成。
13.一种静电吸盘,包括:
接地板;
绝缘体,所述绝缘体设置在所述接地板上;
设施板,所述设施板设置在所述绝缘体上;
冷却基部,所述冷却基部设置在所述设施板上;
支撑主体,所述支撑主体设置在所述冷却基部上,所述支撑主体中具有电极;以及
环,所述环包括:
环形部分,所述环形部分环绕所述绝缘体;以及
延伸部,所述延伸部从所述环形部分延伸,其中所述延伸部环绕所述设施板。
14.如权利要求13所述的静电吸盘,进一步包括:
第一密封件,所述第一密封件设置在所述环与所述冷却基部之间;以及
第二密封件,所述第二密封件设置在所述环与所述接地板之间。
15.如权利要求14所述的静电吸盘,其中所述第一密封件、所述第二密封件和所述环将设置在所述环内的所述绝缘体和所述设施板隔离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造