[发明专利]陶瓷混合绝缘体板

说明书

本公开内容整体涉及一种用于处理基板的静电吸盘。所述静电吸盘包括：设施板；以及绝缘体，所述绝缘体设置在冷却基部与接地板之间。支撑主体耦接到所述冷却基部以用于在所述支撑主体上支撑基板。环被配置为环绕所述绝缘体。所述环由耐受因暴露于制造工艺中造成的降解的材料形成。所述环任选地包括延伸部，所述延伸部被配置为环绕所述设施板。

技术领域

本公开内容的实施方式整体涉及用于处理基板的静电吸盘。

背景技术

在集成电路的制造中，使用诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)之类的沉积工艺在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其它操作中，使用诸如蚀刻之类的层更改工艺来暴露沉积层的一部分以进行进一步沉积。通常，这些沉积或蚀刻工艺以重复的方式用来制造电子器件(诸如半导体器件)的各种层。

随着技术进步，正在利用新的化学品和工艺来制造日益复杂的电路和半导体器件。这些化学品和工艺可能损坏在工艺腔室中使用的常规部件。

因此，需要可与新的制造工艺一起使用的用于器件制造的腔室处理部件。

发明内容

本公开内容整体涉及一种用于处理基板的静电吸盘。

在一个实施方式中，一种工艺腔室具有主体，所述主体具有侧壁和底部。盖耦接到所述主体以限定在所述主体中的工艺容积。静电吸盘设置在所述工艺容积中。所述静电吸盘具有接地板、绝缘体、设施板、冷却基部和支撑主体。所述支撑主体中设置有电极。陶瓷环环绕所述绝缘体设置。

在另一个实施方式中，一种静电吸盘具有接地板、绝缘体、设施板、冷却基部和支撑主体。电极设置在所述支撑主体内。所述静电吸盘还具有环，所述环环绕所述绝缘体设置。所述环由陶瓷材料形成。

在又一个实施方式中，一种静电吸盘具有接地板、绝缘体、设施板、冷却基部和支撑主体。电极设置在所述支撑主体内。所述静电吸盘还包括环，所述环具有环形部分和从所述环形部分延伸的延伸部。所述环形部分环绕所述绝缘体，并且所述延伸部环绕所述设施板。

附图简述

为了能够详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式获得上面简要地概述的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施方式在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了示例性实施方式，并且因此不应视为限制实施方式的范围，因为本公开内容可以允许其它同等有效的实施方式。

图1是示例性处理腔室的横截面的示意性布置。

图2是根据一个实施方式的静电吸盘的横截面的示意性布置。

图3是根据另一个实施方式的静电吸盘的横截面的示意性布置。

为了便于理解，已经尽可能地使用相同的附图标记来表示各图共有的相同元件。预期的是，一个实施方式的元件和特征可以有益地并入其它实施方式中而无需进一步叙述。

具体实施方式

本公开内容整体涉及一种用于处理基板的静电吸盘。所述静电吸盘包括：设施板；以及绝缘体，所述绝缘体设置在冷却基部与接地板之间。支撑主体耦接到所述冷却基部以用于在所述支撑主体上支撑基板。环被配置为环绕所述绝缘体。所述环由耐受因暴露于制造工艺中造成的降解的材料形成。所述环任选地包括延伸部，所述延伸部被配置为环绕所述设施板。

图1是根据一个实施方式的示例性处理腔室100的局部横截面的示意性布置。处理腔室100包括具有侧壁104和底部106的主体102。盖108耦接到主体102以限定在主体102中的工艺容积110。主体102一般由金属(诸如铝或不锈钢)形成，但是可以利用适合与在处理腔室100中执行的工艺一起使用的任何材料。