[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述基板上；

形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；

形成一第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层；

形成一金属层，所述金属层形成于所述第二绝缘层上；

图案化所述金属层及所述第二绝缘层，形成一第一图案化金属层及一图案化第二绝缘层；

图案化所述第一图案化金属层，形成第二图案化金属层；

离子注入所述多晶硅层，以同时形成一重掺杂区和一轻掺杂区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用所述图案化第二绝缘层作为掩模，离子注入穿过所述第一绝缘层，于所述多晶硅层形成所述重掺杂区。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用所述图案化第二金属层作为掩模，离子注入穿过所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层，于所述多晶硅层形成所述轻掺杂区。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，图案化所述金属层及所述第二绝缘层以及图案化所述第一图案化金属层的步骤包括：

采用一第一蚀刻气体图案化所述金属层及所述第二绝缘层；

采用一第二蚀刻气体进一步图案化所述第一图案化金属层；

其中，所述第一蚀刻气体与所述第二蚀刻气体不同。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一蚀刻气体至少包括SF6和O2。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第二蚀刻气体至少包括CL2和O2。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氧化硅，所述第二绝缘层的材料为氮化硅。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度区间为

9.一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：

一基板；

一多晶硅层，设置于所述第一基板，且所述多晶硅层具有一第一重掺杂区、一第二重掺杂区与一沟道区，所述沟道区位于所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区之间；

一第一绝缘层，覆盖于所述多晶硅层；

一第二绝缘层，覆盖于所述第一绝缘层；

一金属层，覆盖于所述第二绝缘层，且位置对应于所述沟道区；

其中，所述第二绝缘层的宽度大于所述金属层的宽度，且所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的材料不同。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管显示面板，其特征在于，所述多晶硅层更包含一第一轻掺杂区与一第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区位于所述沟道区与所述第一重掺杂区之间，所述第二轻掺杂区位于所述沟道区与所述第二轻掺杂区之间，其中所述第二绝缘层的外侧边缘分别与所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区的内侧边缘相对应，且所述第二绝缘层分别与所述第一轻掺杂区、所述沟道区以及所述第二轻掺杂区在垂直投影方向上有重叠区域。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氧化硅，所述第二绝缘层的材料为氮化硅。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度区间为