[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法

说明书

本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法。该制造方法包括提供一基板；形成一多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述基板上；形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；形成一第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层；形成一金属层，所述金属层形成于所述第二绝缘层上；图案化所述金属层及所述第二绝缘层，形成一第一图案化金属层及一图案化第二绝缘层；图案化所述第一图案化金属层，形成第二图案化金属层；离子注入所述多晶硅层，以同时形成一重掺杂区和一轻掺杂区。

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其制造方法，且特别是有关于一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法。

背景技术

随着科技的发展，显示装置被广泛应用在许多电子产品上，如手机、平板电脑、手表等。为了提高显示质量，大尺寸、高解析度、高亮度的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板应运而生。

现有的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板，一般在制作薄膜晶体管时，通常采用在形成栅极金属层后定义出重掺杂区N+后进行离子注入，在栅极金属层上形成光阻层，并进一步蚀刻栅极金属层，进而定义轻掺杂区N-后进行离子注入。因此，重掺杂区N+以及轻掺杂去N-的形成需要两道蚀刻及两道离子注入的步骤。同时，栅极绝缘层通常由氧化硅和氮化硅两层绝缘膜组成，如在栅极绝缘层的成膜过程中有颗粒掉落在半导体层与栅极金属层之间，会导致半导体层和栅极金属层之间的短路，进而造成显示面板良率下降。为此，需要增加栅极绝缘层的厚度予以改善。但栅极绝缘层厚度的增加会影响掺杂区的深度与剂量，增加制程时间，减少产能。

因此，如何能减少蚀刻及离子注入的次数并有效降低栅极绝缘层厚度增加对制程时间增加的影响，实为需要解决的问题之一。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法，可以减少蚀刻及离子注入的次数并有效降低栅极绝缘层厚度增加对制程时间增加的影响，并保持沟道与金属层之间绝缘层的厚度，以减少颗粒掉落造成短路的良率下降。

本发明一实施例的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板的制造方法，包括提供一基板；形成一多晶硅层，所述多晶硅层形成于所述基板上；形成一第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多晶硅层；形成一第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层；形成一金属层，所述金属层形成于所述第二绝缘层上；图案化所述金属层及所述第二绝缘层，形成一第一图案化金属层及一图案化第二绝缘层；图案化所述第一图案化金属层，形成第二图案化金属层；离子注入所述多晶硅层，以同时形成一重掺杂区和一轻掺杂区。

本发明一实施例的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板，其中，低温多晶硅薄膜晶体管包括一基板；一多晶硅层，设置于所述第一基板，且所述多晶硅层具有一第一重掺杂区、一第二重掺杂区与一沟道区，所述沟道区位于所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区之间；一第一绝缘层，覆盖于所述多晶硅层；一第二绝缘层，覆盖于所述第一绝缘层；一金属层，覆盖于所述第二绝缘层，且位置对应于所述沟道区；其中，所述第二绝缘层的宽度大于所述金属层的宽度，且所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的材料不同。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A-图1H是本发明一实施例低温多晶硅薄膜晶体管制造方法的流程图。

图2是本发明一实施例低温多晶硅薄膜晶体管的结构示意图。

其中，附图标记：

100：低温多晶硅薄膜晶体管

101：基板

102：半导体层

103：第一栅极绝缘层

104：第二栅极绝缘层

105：第一金属层