[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

具有图案化表面的衬底，所述图案化表面包括第一区域和第二区域，其中所述第一区域中的第一线宽小于所述第二区域中的第二线宽；

第一裸片，其通过适用于所述第一线宽的导电特征混合接合到所述第一区域；以及

第二裸片，其通过适用于所述第二线宽的导电特征接合到所述第二区域。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二裸片倒装芯片接合到所述第二区域。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二裸片导线接合到所述第二区域。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一线宽小于20微米。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二线宽大于20微米。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述衬底包括第三裸片。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其进一步包括在所述图案化表面上并且安置于与所述第一裸片相同的水平处的通孔。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述衬底包括中介层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其进一步包括在所述中介层中并且在所述图案化表面之下的通孔。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二裸片的所述导电特征包括焊料凸块或金属线。

11.一种封装内系统SIP结构，其包括：

具有图案化表面的衬底，所述图案化表面包括第一导电图案和第二导电图案；

第一裸片，其通过适用于所述第一导电图案的导电特征混合接合到所述图案化表面的所述第一导电图案；以及

第二裸片，其通过适用于所述第二导电图案的导电特征接合到所述图案化表面的所述第二导电图案。

12.根据权利要求11所述的SIP结构，其中所述图案化表面是平坦化表面。

13.根据权利要求11所述的SIP结构，其中所述第一导电图案的第一线宽小于所述第二导电图案的第二线宽。

14.根据权利要求11所述的SIP结构，其中所述第一导电图案的线宽小于20微米，并且所述第二导电图案的线宽大于20微米。

15.一种用于制造半导体封装结构的方法，其包括：

提供具有图案化表面的衬底，所述图案化表面包括第一导电图案和第二导电图案；

对所述图案化表面执行平坦化操作，所述第一导电图案对平坦化操作具有第一凹陷响应，并且所述第二导电图案对所述平坦化操作具有第二凹陷响应，所述第一凹陷响应不同于所述第二凹陷响应；

通过适用于所述第一导电图案的导电特征将第一裸片混合接合到所述第一区域；以及

通过适用于所述第二导电图案的导电特征将第二裸片接合到所述第一区域。

16.根据权利要求15所述的方法，其中执行所述平坦化操作包括在将所述第一裸片混合接合到所述第一区域之前执行化学机械抛光操作。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一裸片的所述导电特征包括铜柱。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二裸片的所述导电特征包括焊料凸块或金属线。