[发明专利]一种芯片封装结构及芯片封装方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片本体、绝缘胶膜、绝缘覆盖层和电极引出部件；其中，

所述绝缘胶膜覆盖于所述芯片本体的底面，所述绝缘覆盖层覆盖于所述芯片本体顶面，所述绝缘胶膜和所述绝缘覆盖层配合以包裹所述芯片本体；

所述芯片本体顶面具有电极，所述电极引出部件的一端与所述电极电连接、另一端延伸至所述绝缘覆盖层外。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述电极引出部件为金属导电块。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属导电块的材质为铜、金或者锡。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘胶膜的材质为环氧树脂和硅胶中的至少一种；

所述绝缘覆盖层为环氧树脂和硅胶中的至少一种。

5.一种芯片封装方法，其特征在于，至少包含以下步骤：

在芯片母体上的电极上形成电极引出部件；

在芯片母体的底面形成绝缘胶膜母体；

在绝缘胶膜母体背离芯片母体的底面形成与绝缘胶膜母体粘结的定位胶膜；

将芯片母体切割成多个芯片本体；

向芯片本体的顶面灌绝缘流体胶，其中，绝缘流体胶覆盖芯片本体的顶面并填充于芯片本体之间缝隙中，且电极引出部件的顶端露在绝缘流体胶外；

对绝缘流体胶固化，沿每相邻两个芯片本体之间的缝隙切割固化后的绝缘流体胶，以形成覆盖芯片本体顶面和侧面的绝缘覆盖层；

沿每相邻两个芯片本体之间的缝隙将绝缘胶膜母体切开；

使芯片封装结构从定位胶膜上脱落。

6.根据权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，在步骤所述将芯片母体切割成多个芯片本体时，同时将绝缘胶膜母体切开；或者，

在步骤所述沿每相邻两个芯片本体之间的缝隙切割固化后的绝缘流体胶时，同时将绝缘胶膜母体切开。

7.根据权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，步骤所述在芯片母体上的电极上形成电极引出部件位于步骤所述在芯片母体的底面形成绝缘胶膜母体之前；或者，

步骤所述在芯片母体上的电极上形成电极引出部件位于步骤所述在芯片母体的底面形成绝缘胶膜母体之后，且在步骤所述在芯片母体上的电极上形成电极引出部件之前去除芯片母体上的电极表面的氧化层。

8.根据权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，所述在芯片母体上的电极上形成电极引出部件，具体包括：

采用植球工艺在电极表面形成金属球，或者，在电极表面点锡，或者，在电极表面焊接铜柱。

9.根据权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，步骤所述在芯片母体的底面形成绝缘胶膜母体，具体包括：

在芯片母体的底面贴附柔性绝缘胶膜母体，并对柔性绝缘胶膜母体固化。

10.根据权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，步骤所述对柔性绝缘胶膜母体固化和步骤所述对绝缘流体胶固化均采用加热固化的方式，且所述对柔性绝缘胶膜母体固化的温度低于对绝缘流体胶固化的温度。

11.根据权利要求10所述的芯片封装方法，其特征在于，所述柔性绝缘胶膜母体为环氧树脂，所述对柔性绝缘胶膜母体固化的温度范围为140℃～180℃；

所述绝缘流体胶为硅胶，所述对绝缘流体胶固化的温度范围为100℃～180℃。