[发明专利]一种蒸镀装置

说明书

本发明涉及蒸镀技术领域，特别涉及一种蒸镀装置，通过设置积灰装置对产生的非目标蒸镀物进行吸收能够保证蒸镀装置的腔体内和基板上不会附着非目标蒸镀物(氧化物或者氮化物)，从而避免因受非目标蒸镀物的污染影响到蒸镀的良率，使得蒸镀操作能够达到高真空的条件，提高基板蒸镀的效率；能够减少且通过设置积灰装置吸收非目标蒸镀物能够节省额外开腔清洁的操作，提高蒸镀的可操作性以及生产效率。

技术领域

本发明涉及蒸镀技术领域，特别涉及一种蒸镀装置。

背景技术

在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称为OLED)显示技术中，通过真空蒸镀有机材料与金属材料，使其蒸发并沉积在基板上，从而生产OLED器件；在蒸镀过程中，将腔体抽真空达到一定真空度后，通过加热坩埚内的蒸镀材料，使其达到一定温度后气化，沉积在基板上形成目标厚度。

对于蒸镀活泼的金属材料(如锂Li、钾K、钙Ca、镁Mg、镱Yb等)而言，由于这些金属材料本身容易被氧化或氮化，材料表面经常形成氧化物或氮化物；金属材料在蒸镀过程中，其氧化物或氮化物会沉积在腔体内与基板上，同时也会沉积到镀率监控装置的晶振片上；蒸镀腔内金属材料氧化或氮化的粉尘未经清洁，则会造成基板污染，使得产品的不良率上升，腔体内部收到污染，一方面不利于腔体内达到所需的高真空度，另一方面，影响基板的洁净度，不利于产品的良率；此外，金属材料与其相关氧化物或氮化物会沉积在镀率监控的晶振片上，不利于晶振片的使用寿命与其监控镀率的稳定性。

例如常作为OLED器件的阴极材料金属镁，虽然金属镁储存于真空包装之中，已尽量避免被氧化，但在向坩埚加料与腔体抽真空的过程中，部分金属镁表面会被空气迅速氧化，生成氧化镁；在蒸镀过程中，氧化镁不仅会污染基板与蒸镀机腔体内壁，而且会沉积在镀率监控的晶振片上，而镁与氧化镁的密度不同，镀率监控装置按照镁的密度来计算镀率，则就会出现晶振片监控的镀率不稳定或出现虚假镀率的现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：一种能够坩埚对产生的非目标蒸镀物进行吸收的蒸镀装置。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种蒸镀装置，包括坩埚、基板、积灰装置和转动装置，所述基板位于所述坩埚的上方，所述转动装置设置在坩埚的一侧，所述积灰装置与转动装置可转动连接且位于预设初始位置，所述转动装置被配置为当坩埚中的温度达到第一预设温度值时，将所述积灰装置转动至所述坩埚的上方对产生的非目标蒸镀物进行吸收，当坩埚中的温度达到第二预设温度值时，将所述积灰装置转动至预设初始位置，所述第二预设温度值高于第一预设温度值。

本发明的有益效果在于：

通过在坩埚的上方设置积灰装置和转动装置，将积灰装置与转动装置可转动连接且位于预设初始位置，在当坩埚中的温度达到第一预设温度值时，积灰装置能够在转动装置带动下转动至坩埚的上方对产生的非目标蒸镀物进行吸收，当坩埚中的温度达到第二预设温度值时，积灰装置能够在转动装置带动下转动至预设初始位置，通过设置积灰装置对产生的非目标蒸镀物进行吸收能够保证蒸镀装置的腔体内和基板上不会附着非目标蒸镀物(氧化物或者氮化物)，从而避免因受非目标蒸镀物的污染影响到蒸镀的良率，使得蒸镀操作能够达到高真空的条件，提高基板蒸镀的效率；能够减少且通过设置积灰装置吸收非目标蒸镀物能够节省额外开腔清洁的操作，提高蒸镀的可操作性以及生产效率。

附图说明

图1为根据本发明的一种蒸镀装置的结构示意图；

图2为根据本发明的一种蒸镀装置的积灰装置的结构示意图；

图3为根据本发明的一种蒸镀装置的积灰装置的剖视图；

标号说明：

1、坩埚；

2、基板；