[发明专利]基板处理装置

说明书

一个实施方式的基板处理装置具备：处理槽，贮存对基板进行处理的药液；配管，具有从处理槽的底部朝向基板排出气泡的排出口；以及棒状体，配置于排出口与基板之间，将气泡分割。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－29748号(申请日：2019年2月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部的内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及基板处理装置。

背景技术

对形成于基板的膜进行处理的工序之一，有使基板浸渍于药液而对膜进行蚀刻的工序。该蚀刻工序所使用的装置中，有为了提高在基板表面上的药液的流速而对药液内排出气泡的基板处理装置。

在上述的基板处理装置中，气泡容易聚集到排出气泡的配管的排出口的上方。因此，存在基板面内的流速变得不均匀的情况。

发明内容

本发明的实施方式提供能够使基板面内的流速的均匀性提高的基板处理装置。

一个实施方式的基板处理装置，具备：处理槽，贮存对基板进行处理的药液；配管，具有从处理槽的底部朝向基板排出气泡的排出口；以及棒状体，配置于排出口与基板之间，将气泡分割。

附图说明

图1是第1实施方式的基板处理装置的概略的示意图。

图2是表示半导体基板的保持方式的一例的立体图。

图3是概略地表示配管、第1棒状体及第2棒状体的构造的立体图。

图4是将第1实施方式的基板处理装置的一部分放大了的图。

图5(a)是蚀刻前的半导体装置的俯视图。

图5(b)是沿着图5(a)所示的切断线A－A的剖视图。

图6是蚀刻后的半导体装置的剖视图。

图7是表示第2实施方式的基板处理装置的概略的构成的立体图。

图8是将第2实施方式的基板处理装置的一部分放大了的图。

图9是表示第2实施方式的变形例的放大图。

图10是表示第3实施方式的基板处理装置的概略的构成的立体图。

图11是表示第3实施方式的变形例的基板处理装置的概略的构成的立体图。

图12是表示第4实施方式的基板处理装置的概略的构成的立体图。

具体实施方式

以下，对于实施的方式，参照附图来进行说明。

(第1实施方式)

图1是概略地表示一个实施方式的基板处理装置的构成的示意图。图1所示的基板处理装置1为，将在多个半导体基板100的每个半导体基板形成的硅氮化膜(未图示)，用药液200来一并地进行选择性地蚀刻的分批式的湿式蚀刻处理装置。本实施方式的基板处理装置1具备处理槽11、循环通路12、泵13、升降器14、配管15、第1棒状体16及第2棒状体17。

处理槽11具有内槽111及外槽112。内槽111的上端及外槽112的上端开口。在内槽111中，贮存药液200。在本实施方式中，在内槽111贮存被加热到约160℃的磷酸溶液。外槽112回收从内槽111溢出的药液200。

循环通路12与外槽112的底部及内槽111的底部连通，使药液200在内槽111与外槽112之间循环。流出到外槽112的药液200，通过循环通路12而回流到内槽111。