[发明专利]半导体衬底的处理装置及处理方法在审
| 申请号： | 201910641421.5 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110211905A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 廖彬;周铁军;王金灵;刘留 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 处理装置 清洗液 容纳空间 预设区域 清洗件 吸附件 支撑架 壳体 开口 体内 壳体上表面 影响半导体 腐蚀 衬底背面 腐蚀区域 局部清洗 不一致 去除 吸附 清洗 缓解 申请 | ||
1.一种半导体衬底的处理装置，其特征在于，包括：
壳体，所述壳体上表面具有开口；
位于所述壳体内的吸附件，所述吸附件用于吸附待处理的半导体衬底，所述半导体衬底位于所述吸附件表面时，所述半导体衬底的背面朝向所述壳体的开口；
位于所述壳体内的第一支撑架，所述第一支撑架具有一容纳空间内，所述吸附件位于该容纳空间内；
清洗件，所述清洗件中具有第一清洗液，所述第一清洗液通过所述壳体的开口对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗；
其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。
2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述壳体内具有第二清洗液，所述第二清洗液的表面低于所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面，所述第二清洗液为不具有腐蚀性的液体。
3.根据权利要求2所述的处理装置，其特征在于，所述壳体上具有进液口。
4.根据权利要求3所述的处理装置，其特征在于，所述进液口在所述壳体上的高度低于所述半导体衬底放置于所述吸附件表面后所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面。
5.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述吸附件为吸附有非腐蚀性液体的吸附本体。
6.根据权利要求5所述的处理装置，其特征在于，所述吸附本体为海绵。
7.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，所述清洗件包括：滴定管以及与所述滴定管固定连接的储液罐。
8.根据权利要求7所述的处理装置，其特征在于，还包括：第二支撑架，所述第二支撑架用于固定所述清洗件。
9.一种半导体衬底的处理方法，其特征在于，应用于权利要求1-8任一项所述的半导体衬底的处理装置，该方法包括：
将待处理的半导体衬底放置于半导体衬底处理装置中吸附件的表面，所述半导体衬底的主面朝向所述吸附件，所述半导体衬底的背面背离所述吸附件；
利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的预设区域进行第一次清洗；
其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。
10.根据权利要求9所述的处理方法，其特征在于，该方法还包括：
利用第二清洗液对所述半导体衬底的背面进行第二次清洗，所述第二清洗液为不具有腐蚀性的液体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
