[发明专利]半导体衬底的处理装置及处理方法

说明书

本申请公开了一种半导体衬底的处理装置及处理方法，该处理装置包括：壳体，壳体上表面具有开口；位于壳体内的吸附件，用于吸附待处理的半导体衬底；位于壳体内的第一支撑架，第一支撑架具有一容纳空间内，吸附件位于该容纳空间内；清洗件，清洗件中具有第一清洗液，第一清洗液通过壳体的开口对半导体衬底背面的预设区域进行清洗；其中，半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，第一清洗液为具有腐蚀性的药液。该处理装置可以针对半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，有效去除半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响半导体衬底的未被腐蚀部分，缓解半导体衬底背面的颜色不一致现象。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体衬底的处理装置及处理方法。

背景技术

以砷化镓为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，由于其独特的电学性能，在卫星通讯、微波器件、激光器及发光二极管等领域有着十分广泛的应用，如异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、LED等半导体器件。具体的，半导体器件的制作需要在高质量的衬底的主面用分子束外延技术或者有机金属化合物气相外延技术生长外延结构，因此，在半导体衬底表面生长外延结构之前，需要对半导体衬底的主面进行抛光、清洗等工艺，以获得高质量的衬底。

但是，现有半导体衬底的制作工艺形成的半导体衬底的背面经常存在颜色不一致的现象。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种半导体衬底的处理装置，以缓解所述半导体衬底背面存在的颜色不一致现象。

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种半导体衬底的处理装置，包括：

壳体，所述壳体上表面具有开口；

位于所述壳体内的吸附件，所述吸附件用于吸附待处理的半导体衬底，所述半导体衬底位于所述吸附件表面时，所述半导体衬底的背面朝向所述壳体的开口；

位于所述壳体内的第一支撑架，所述第一支撑架具有一容纳空间内，所述吸附件位于该容纳空间内；

清洗件，所述清洗件中具有第一清洗液，所述第一清洗液通过所述壳体的开口对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗；

其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。

可选的，所述壳体内具有第二清洗液，所述第二清洗液的表面低于所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面，所述第二清洗液为不具有腐蚀性的液体。

可选的，所述壳体上具有进液口。

可选的，所述进液口在所述壳体上的高度低于所述半导体衬底放置于所述吸附件表面后所述半导体衬底朝向所述吸附件一侧的表面。

可选的，所述吸附件为吸附有非腐蚀性液体的吸附本体。

可选的，所述吸附本体为海绵。

可选的，所述清洗件包括：滴定管以及与所述滴定管固定连接的储液罐。

可选的，还包括：第二支撑架，所述第二支撑架用于固定所述清洗件。

一种半导体衬底的处理方法，应用于上述任一项所述的半导体衬底的处理装置，其特征在于，该方法包括：

将待处理的半导体衬底放置于半导体衬底处理装置中吸附件的表面，所述半导体衬底的主面朝向所述吸附件，所述半导体衬底的背面背离所述吸附件；

利用所述清洗件中的第一清洗液对所述半导体衬底背面的预设区域进行第一次清洗；

其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。

可选的，该方法还包括：