[发明专利]闪存HTOL测试方法

权利要求书

1.一种闪存HTOL测试方法，其特征在于，包括：

提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴；所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极，位于所述导电沟道上方的栅极单元；所述栅极单元包括：控制栅；

对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；

对所述闪存进行HTOL测试，所述引入电子在所述HTOL测试过程中部分丢失，以对HTOL测试过程中所述空穴的丢失形成补偿；

对所述闪存参考单元进行编译，包括：

在所述源极上施加第一编程电压，所述第一编程电压的范围为-0.1V～0V；在所述漏极上施加第二编程电压，所述第二编程电压的范围为0.1V～0.3V；在所述控制栅上施加第三编程电压，所述第三编程电压的范围为8V～10V；在所述衬底上施加第四编程电压，所述第四编程电压的范围为-1.2V～-1V；其中，所述第一编程电压小于所述第二编程电压；所述第二编程电压小于所述第三编程电压；

对所述闪存参考单元进行擦除，包括：

将所述源极和漏极均悬空，在所述控制栅上施加第一擦除电压，在所述衬底上施加第二擦除电压；其中，所述第一擦除电压为负电压，所述第一擦除电压的范围为-10V～-8V；所述第二擦除电压为正电压，所述第二擦除电压的范围为8V～10V。

2.如权利要求1所述的闪存HTOL测试方法，其特征在于，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及所述控制栅，所述栅极单元的两侧分布有侧墙。

3.根据权利要求1所述的闪存HTOL测试方法，其特征在于，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。

4.如权利要求1所述的闪存HTOL测试方法，其特征在于，擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。

5.如权利要求1至4任意一项所述的闪存HTOL测试方法，其特征在于，对所述闪存参考单元进行编译和擦除，循环次数为10次～20次。

6.如权利要求1至4任意一项所述的闪存HTOL测试方法，其特征在于，对所述闪存进行HTOL测试包括：

对所述闪存依次进行第一时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第N时间点读点；

在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流I_ref与闪存阵列单元的输出电流I的差值经由读出放大器进行比对判断，若I_ref＜I，则闪存读出“1”；若I_ref＞I，则闪存读出“0”。